硅基发光相关论文
在硅基上实现光电单片集成，能够为微电子器件提供大带宽的光互连，同时为光电子器件提供低廉的制造成本，这使得硅基光电子成为国际上半......
单晶硅是现代半导体器件和大规模集成电路的基础材料。然而随着信息技术的高速发展，微电子器件在热稳定性、信号传输速度等方面出现......
硅基材料的高效发光对未来硅基光电子集成的发展极其关键,含微腔的一维光子晶体可以显著提高其发光强度、窄化其发光峰。介绍了几......
SOI技术和多孔硅纳米发光技术研究是当今微电子与光电子研究领域的前沿课题，本文根据科学院创新工程研究工作的需要，开展了多孔硅外......
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光电子集成技术的不断发展,使硅基发光材料成为广泛关注的焦点。近几十年来,各国学者对硅基发光材料和相关器件进行了研究。研究主......
在过去的几十年,硅基发光材料由于其在硅基光电子集成领域的巨大应用前景而备受关注。目前,硅基发光材料研究主要集中在Si-SiOx、S......
材料基因组计划旨在通过实验、计算和理论的有机整合协同创新,实现新材料研发周期减半,研发成本减半,以期加速在清洁能源、国家安......
<正>"硅基发光,中国创造"、"自主创新,光明万里"——这是全国政协副主席、科技部部长万钢给南昌一家企业的题词。在日美垄断LED芯......
随着集成电路按照摩尔定律继续朝着尺寸更小、处理速度更快、成本更低的方向发展,芯片中的器件集成度越来越高,相应的金属互连结构......
<正>1信息社会的前沿科学领域——硅光子学随着信息科学的深入研究和光通信技术的发展,光的量子传输特性表现得更为明显,光的量子......
近几十年来,由于硅具有优良的电学和机械等性能且在地球上储量丰富,硅材料已被广泛关注。但由于单晶硅是间接带隙半导体,电子跃迁......
回顾了Si基发光的研究历程，归纳分析了新近几种实现Si发光的方法和其优缺点，其中包括多孔Si发光、GeSi／Si量子阱发光、Sip-n结位错发......
期刊
按照摩尔定律集成电路特征尺寸的变化,目前主流工艺的互连线的最小线宽已经步入了100nm以下,芯片上的电互连即将到达极限,这带来了......
硅基发光一直是硅基材料和器件研究的重要课题。自从1990年Canham首次发现电化学阳极氧化多孔硅的强室温光致荧光现象以来，各类硅基......
将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950......
