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硅锗镍化物相关论文
高迁移率SiGe/sSOI量子阱MOSFET及NiSiGe源漏接触研究
目前,CMOS制程工艺已经迈入纳米节点以下,但在进一步提高芯片的集成度、运行速度以及减小集成电路的特征尺寸方面遇到了严峻的挑战......
学位
高迁移率
绝缘体上硅锗
MOSFETs量子阱
硅锗镍化物
MOS工艺
硅集成电路
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