高迁移率相关论文
与无定型薄膜相比,有机晶体具有稳定的热力学形态,高度有序的分子堆积结构,较低的杂质和缺陷含量,通常表现出优异的光电性能。但是......
苝酰亚胺和萘酰亚胺类半导体是两类优秀的电子受体材料,也是人们研究的热点之一。苝酰亚胺和萘酰亚胺类聚合物半导体成膜性好,易溶......
继石墨之后,黑磷是迄今发现的第二种由一种元素组成的层状材料,层间为范德瓦尔斯相互作用。在后石墨烯时代,由于黑磷具有高空穴迁......
在现如今的信息社会,各种电子产品层出不穷,它们已成为人类生产生活中不可替代的产品。随着社会的发展,人们对新型电子产品的需求......
目的: 败血症，又称脓毒症，是一种严重的可能危及生命的全身性炎症反应，其致病原因主要由感染或者组织损伤引起的全身性炎症应答综......
电泳显示器件由于其优越的性能从众多显示技术中脱颖而出，备受世界各大电子企业和研究所的关注，并且为其最终产业化生产进行紧锣密鼓......
有机半导体高分子聚合物由于具有溶液可加工性、加工成本低和可弯曲等优点而在柔性电子器件上具有巨大的应用前景。现有的有机半导......
学位
随着CMOS特征尺寸不断减小,已经接近物理极限,传统Si基CMOS器件开始出现诸如漏致势垒降低效应、漏源穿通效应、短沟道效应、迁移率......
自从2004年在LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）界面发现二维电子气以来,传统半导体设备的核心概念,如二维电子气、场效应等,正以复杂氧化物的......
随着石墨烯的问世,二硫化钼、二硫化钨、二氧化锰、磷烯等一系列二维半导体材料成为了当下研究的热潮。二维半导体材料具有优异的......
近年来平板显示技术飞速发展,日新月异,和人们的生活息息相关,广泛应用于娱乐、医药、交通、消费电子、工业设备等领域。平板显示......
有机光电材料因其低成本、易化学修饰和可溶液加工等优势,在电子/光-电子领域中有着很多潜在的应用,并取得了一系列瞩目的成果,因......
随着超大规模集成电路集成度的不断增加，晶体管的单元尺寸持续的缩小。晶体管工艺流程发展到了纳米节点以下，线宽效应、短沟道效应等......
随着晶体管尺寸的持续缩小，不断增加的晶体管密度与工作频率造成集成电路散热量急剧增大，互连寄生效应成为影响芯片功耗与速度的关键......
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采用密度泛函DFT/B3 LYP方法对实验制备的高迁移率有机纳米线-烷基双脲键取代聚苯撑乙烯齐聚物（OUPV）的微观结构进行研究,分别计算单......
为降低氧化锌薄膜晶体管（ZnO TFT）的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡（ITO）导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层......
采用直流磁控溅射法在清洁玻璃基片上制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜。研究了氧分压及其退火处理对IWO薄膜光电性能的影......
近年来,染料单体被广泛用于有机光电聚合物分子的构建中。在有机场效应晶体管(OFET)方面,吡咯并吡咯二酮(DPP)和异靛青(isoindigo)......
针对半导体器件进入16 nm及以下技术代将面临的可制造性难度大、功耗限制、性能退化等核心问题,重点开展了新型围栅纳米线器件、新......
高迁移率发光有机半导体材料是实现有机发光场效应晶体管(OLETs)的重要材料,但其设计合成面临巨大挑战.本文综合评述了近年来高迁......
通过电子束蒸发法制备In2O3：Mo（IMO）薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本......
研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟(In2O3:Mo,IMO)薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3:......
过去的几十年里,溶液法制备的有机薄膜器件已经由基础研究走向产业化阶段。与无机电子产品相比,其优势在于有机薄膜器件具有超薄、......
有机半导体材料的出现催生了有机电子学的兴起以及有机电子器件的蓬勃发展,由于有机电子器件具有制备工艺简单、成本低、柔性等特......
薄膜晶体管(TFT)是液晶显示(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示背板的核心部件;其中基于金属氧化物半导体有源层的TFT由于......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO（In2O3∶WO3）薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层......
近年来,薄膜晶体管(TFT)由其在有源矩阵发光二极管(AMOLED)显示中的应用而得到了广泛的研究。其中金属氧化物(Metal Oxide)薄膜晶......
<正>近日,中国科学技术大学教授陈仙辉课题组与复旦大学教授张远波课题组合作,继去年首次制备出二维黑磷场效应晶体管之后,再次在......
阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果......
通过一种新的聚咔唑分子PCz分离提纯获得超高纯度半导体单壁碳纳米管（s-SWCNTs）溶液。结合分子光谱和纳米器件得到富集的s-SWCNTs纯......
近年来,有源矩阵发光二极管（AMOLED）在显示中大放异彩,在诸多薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）材料中,金属氧化物（Metal Oxide）由于......
自20世纪80年代以来,聚合物半导体材料及其薄膜场效应晶体管器件(OFETs)已取得系列突破性进展.目前,已有数百种聚合物半导体材料被......
在显示领域中,平板显示器（FPD）是目前最为流行的一类显示设备。平板显示领域中应用最广泛的技术就是薄膜晶体管技术（TFT）。当前主流的......
有机薄膜晶体管由于具有质量轻,制备成本低,有机材料来源多,加工环境易达到,可与柔性基底兼容等诸多优点而受到越来越多认可与关注......
薄膜晶体管(TFTs)为满足高性能平板显示器的发展需求,正经历着快速增长的态势,同时其应用也扩大到新型透明电子和功能型电子领域.......
微电子所高频高压器件与集成研发中心刘洪刚研究员、王盛凯副研究员带领CMOS研究团队在国家科技重大专项02专项、国家“973”课题......
半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于......
在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 ......
