先驱体转化法是制备SiC陶瓷材料的重要方法。以聚碳硅烷作为先驱体,裂解转化制备的SiC陶瓷材料,其元素组成往往偏离化学计量比,呈......

采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀.采用同步加速X射线衍......

碳化硅同质外延过程中，反应室杂质浓度是外延片背景载流子浓度的决定因素。反应室内石墨部件外层进行碳化钽涂层处理，极大降低了反应......

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了......

源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量．因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀......

对不同C／Si比的掺磷非晶碳化硅薄膜的光电性质进行了研究。发现对于原始样品，随着C／Si比的减小，材料的光学带隙逐渐减小，暗电导率逐渐增......

本文建立了一种对SiC表面羟基浓度定量检测的方法,利用卡尔费休微量水分测定仪直接测量出SiC表面羟基浓度。经计算,本方法 RSD为3.......

研究了水平热壁式CVD(Hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气氢气的流量获得低于1％(最好值为0.09％)的外延厚度均匀性(σ/m),......

选取鄱阳湖流域内从初级支流到最大干流再到湖区(香溪→架竹河→赣江→鄱阳湖)这一联通水系线路为研究对象,通过对该流域多尺度碳......

本文以近正角4H-SiC(0001)面为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同碳硅比下外延生长了4H-SiC薄膜。研究发现,......