同质外延相关论文
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外......
采用化学气相沉积法进行6英寸（1英寸=2.54 cm）厚层4H-SiC同质外延片的快速生长，通过对工艺中预刻蚀、碳硅比（C/Si）和温度等关键参数优化......
本文研究了在反应气体中引入不同浓度的CO2对微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法同质外延生长单晶金刚石内应力的影响，并对其作用机理......
GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功......
“十四五”规划提名集成电路,重点攻关碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体。相比于Si和Ga As,碳化硅（SiC）材料同时具有宽的禁带（3～3.3e V）、......
本文基于自主设计的氮化铝生长炉，开展了四组不同工艺条件下Al极性面氮化铝籽晶同质外延生长氮化铝单晶的生长特征及其结晶质量表征......
借助专业长晶模拟软件FEMAG和自主开发的对流、传质、过饱和度及生长速率预测等有限元模块研究了物理气相传输法（PVT）同质外延生长氮......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
利用课题组自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在朝[11-20]方向偏转4°的(0001)Si面4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长......
GaN材料因其宽禁带、高击穿场强、高电子饱和速度、耐高温、抗辐照等特性,并且可通过极化效应形成二维电子气(2DEG),基于GaN异质结......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
The growth of SiC material......
本论文通过理论推导和计算机模拟,对ABO_3型氧化物薄膜的生长机制进行了较为深入的研究,并利用所得的规律指导实验。论文研究工作......
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原......
采用热壁化学气相沉积法在4英寸4H-Si C衬底上进行同质外延生长,研究硅烷流量、温度的变化对外延生长速率、表面形貌以及表面缺陷......
氮化镓单晶衬底上的同质外延具有显著的优势,但是二次生长界面上的杂质聚集一直是困扰同质外延广泛应用的难题,特别是对电子器件会......
源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量．因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀......
分析了气相同质外延单晶金刚石膜中晶面指数与薄膜品质的关系,指出了控制实验条件是确保各晶面薄膜品质的关键.......
在传统的衬底上生长出的GaN都是沿着极性轴c轴方向的,非极性GaN薄膜克服了极性薄膜中因为产生内建电场而带来的发光效率和结晶质量......
介绍了n^＋-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n^＋-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离（0001）方向7.86°的4H-Si......
文章概述了高温高压法金刚石单晶同质外延的基本方法，重点介绍了合成工艺设计对最终产品的影响。有关传压介质标准粉在大单晶同质外......
采用微波等离子体化学气相沉积技术（MPCVD）,在抛光厚度0.5 mm的高热导率自支撑金刚石厚膜表面沉积厚度10μm掺硼金刚石薄膜,通过热导......
碳化硅（SIC）是第三代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体，H2为......
用微波等离子体化学气相沉积方法合成高品质同质外延金刚石膜，并且用扫描电镜和阴极荧光分析法评价。为了得到高薄膜生长速率，把甲烷......
利用高功率微波等离子体化学气相沉积方法及合适的预处理方法成功地合成了无生长丘的高品质金刚石膜。阴极荧光（CL）结果表明在本工作......
气相合成金刚石膜技术的问世,使制备金刚石电子有源器件成为可能.本文将静高压法合成的大颗粒优质单晶镶嵌在纯铜板中作为基板.以......
氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表。因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料。......
对4H-SiC外延表面缺陷的种类、形貌特征和形成机理进行了简要介绍。结合外延表面缺陷形成机理和实际外延生长经验,对不同种类表面......
采用物理气相传输方法生长的红荧烯、并四苯、并五苯等单晶作为衬底,在其上通过真空蒸镀的方法同质外延生长了有机半导体薄膜,对薄......
通过光学显微镜和表面缺陷检测仪对4H-SiC外延晶片表面三角型缺陷进行观测和分析,发现三角型缺陷大致可以分为两类:头部无任何异物......
基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外......
在高纯半绝缘4H—SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层，利用X射线双晶衍射、原子力显微镜（AFM）、汞探针C-V以及霍尔效应......
本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)......
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学位
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在高温高压(HPHT)下制备的单晶片上进行单晶金刚石同质外延生长,研究了甲烷浓度和衬底温度......
利用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法,在天然金刚石衬底的（111）晶面上同质外延生长单晶金刚石,研究了沉积温度、CH4浓度以及小角度......
在自主研发的小功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置上利用高温高压(HPHT)单晶金刚石片为衬底进行了金刚石同质外延生长的研......
ZnO材料的激子束缚能为60meV,是一种具有优越的光电性质的宽带隙半导体材料,在紫外探测器件和激光器等短波长光电器件方面具有重要......
利用脉冲激光沉积在YSZ[100]基底上同质外延生长不同组分的YSZ薄膜.研究发现,当生长温度为300℃时,薄膜为非晶态,而在温度为650℃......
用无催化碳热还原法合成了大量三维分级的In2O3亚微/纳米结构,用XRD、SEM、TEM和EDS等手段对In2O3纳米棒的形貌、成分和结构进行了......
以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高和热导率高等优越的特性,在大功率器件方面广泛应用。相比较而言,......
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电......
用微波等离子体化学气相沉积法同质外延生长了有缺陷的金刚石颗粒。在同质外延之前,研究了温度因素对金刚石生长表面形貌的影响,研......
期刊
(Al)GaN基材料具有连续可调的禁带宽度(3.4eV-6.2eV)、抗辐射和耐高温的特点,非常适合于制作高灵敏的紫外探测器,并且在导弹羽烟探......
单晶金刚石具有极其优异的性质,如高热导率、高载流子迁移率和高的击穿电压,是制作高可靠性、高稳定性微波功率器件和探测器的理想......
InSb是3~5pm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(lOO)衬底为基础,通过摸索InSb(lOO)衬底的脱氧、生长......
4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气......
