同质外延生长相关论文
本文采用微波等离子体化学气相沉积法,研究了单晶金刚石同质外延生长,特别是生长过程中单晶金刚石样品边缘不同角度倾斜面及衬底基......
利用水平热壁CVD方法,基于SiH4-C3 H8-H2生长系统在n型4H-SiC偏4°衬底上进行同质外延生长.通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显......
针对高速、高质量金刚石单晶外延的优化工艺技术，本文利用自行研制的10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)......
针对高功率密度微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石过程中,金刚石籽晶表面温度容易发生漂移的问题,提出了一种新的基片托盘......
为了获得高质量4H-SiC外延材料，研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统，在偏晶向的4H-SiC：Si(0001)晶面衬底上，利用“台阶控......
对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带......
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氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳......
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5......
本文使用金刚石磨料作为晶种颗粒,通过热丝化学气相法生长出单晶金刚石颗粒,并且建立三维的有限元模型,利用有限元仿真分析了生长......
简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导......
文章采用微波等离子体化学气相沉积法,以单晶金刚石籽晶为衬底进行金刚石外延生长,通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及光学显微镜等多......
近年来，大尺寸化学气相沉积（CVD）金刚石单晶的高速生长和性质研究，引起国内外众多研究者的关注,引入不同气氛高速生长CVD金刚石单晶成......
以Ib型（100）取向高温高压（HPHT）单晶金刚石为基底、H2-CH4-CO2混合气为反应气源,利用10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气......
