立方AlN薄膜相关论文
本文采用激光分子束外延法,以TiN为缓冲层在Si(100)衬底上制备立方岩盐矿AlN薄膜,研究了缓冲层厚度对薄膜晶体结构、残余应力和表......
本文采用激光分子束外延法在Si(100)衬底上制备立方AlN薄膜，系统研究了沉积工艺(主要是衬底温度、激光脉冲能量、N2分压)和TiN缓冲......
AlN半导体薄膜的亚稳立方结构相比其稳定的六方相具有独特的性质，如高度的晶体对称性有望降低光子散射和掺杂难度、(001)生长方向不......
III-V族半导体立方AlN薄膜以其优异性能成为极具潜力的光电子和微电子器件材料。但是,立方AlN的亚稳特性使得其外延薄膜的质量较差......
为了提高亚稳立方AlN 薄膜的外延质量,采用激光分子束外延法,以T iN 为缓冲层在S i（ 100）衬底上制 备立方AlN 薄膜,主要研究了 TiN ......
AlN半导体薄膜的亚稳立方结构相比其稳定的六方相具有独特的性质,如高度的晶体对称性有望降低光子散射和掺杂难度、(001)生长方向......
