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纳米柱发光二极管相关论文

InGaN多量子阱纳米柱载流子复合动力学以及发光性质的研究

Ⅲ族氮化物半导体（InN、GaN、AlN）,它们的光学带隙可以从0.7e V到6.2e V范围内连续可调,对应的波长范围覆盖了从近红外到紫外波段一......

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氮化物半导体纳米柱发光二极管激子能级载流子输运发光性质时间分辨光谱 InGaN多量子阱

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