氮化物半导体相关论文
随着智能手机、曲面显示屏、柔性可穿戴等光电子科技逐渐融入日常生活中,未来新一代光电器件的发展也已成为人们最关心的主题之一,......
Ⅲ族氮化物半导体（InN、GaN、AlN）,它们的光学带隙可以从0.7e V到6.2e V范围内连续可调,对应的波长范围覆盖了从近红外到紫外波段一......
本文主要研究了电子—声子相互作用及压力对纤锌矿结构氮化物半导体表面电子态的影响。计入电子与表面光学声子相互作用，采用变分法......
光微机电系统作为微机电系统的重要分支，包括可调激光器、可调滤波器、可变光衰减器、可编程光分/插复用器件、光开关、光连接器和......
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效......
传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于具有非......
以GaN为代表的氮化物半导体由于具有宽禁带宽度、高击穿场强、强极化效应等材料特性,特别是GaN异质结构中极高密度的二维电子气特......
InGaN化合物半导体的禁带宽度从3.39 eV 至0.64 eV 可调，其波长覆盖了深紫外至近红外波段，这使其在发射波长高度可调的光电器件方面......
作为宽禁带直接带隙半导体,Ⅲ族氮化物材料体系的禁带宽度覆盖了从紫外光波段到可见波段再到近红外波段,广泛应用于固态照明器件及......
六方纤锌矿结构是AlN最稳定、最常见的结构，同时AlN也是带隙宽度最大的氮化物半导体(带隙宽度约为6.2eV)。由于具有很高的热导率、......
过去三十年中,氮化物半导体器件都是采用异质外延的方式生长在蓝宝石、碳化硅或者硅衬底上面,已经取得了巨大的成功.材料中的缺陷......
采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物半导体中电子表面态问题.计及电子与表面光学声子相互作用和结构异性的影响导出了系统的有效......
在有效质量近似下,采用变分理论研究了流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能,理论推导了杂质......
因为中村修二的发明,LED进入白光时代,使LED进入普通照明领域成为可能.也因为中村修二的倒戈,LED巨头间的知识产权纷争更具有戏剧......
Ⅲ族氮化物是一种直接带隙半导体材料，拥有诸多优异的物理化学性质，通过改变合金比例，其禁带宽度在0.7eV到6.2eV间连续可调，发光波长可......
随着GaN材料研究的逐步成熟和器件的应用，InN和高InN组分的InGaN材料自从2002年以来成为氮化物半导体研究中的另一个热点。高质量In......
本论文包括两部分研究内容：“Si基AlN异质结构电荷陷阱态”和“GaN基异质结构场效应器件的 Monte Carlo 模拟”。 AIN是Ⅲ族氮化......
固态照明技术作为一项全新的照明技术，主要以半导体芯片为元件，直接将电能转换为光能，转换效率高。而Ⅲ族氮化物材料作为直接宽带隙半......
近年来,随着 III-V族氮化物半导体生长技术的进步,基于 III-V族氮化物半导体的器件表现出越来越优异的性能,并逐渐开始进入应用领......
作为第三代半导体材料，InxGa1-xN合金的禁带宽度可以在0.7eV(InN)～3.4eV(GaN)范围内连续可调，其吸收光谱和太阳光谱有着近乎理想的匹......
开发可替代化石能源的可再生的清洁新能源是人类社会可持续发展的迫切需要。太阳能是重要的可再生清洁能源之一。利用光电化学电池......
半导体自旋电子学旨在结合已有的成熟的半导体工艺将电子的自旋自由度加以应用，从而实现能耗更低、速度更快、尺度更小的自旋电子学......
量子级联激光器的研究，具有重要的理论和实际应用价值，不论在通讯，医学，还是光探测等方面，有着重要的应用前景。本论文主要研究半导体子......
2009年11月11日至12月3日,香山科学会议先后召开了主题为“虚拟经济与金融危机的相关研究中的若干科学前沿问题”、“高效氮化物半......
简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍......
GaN、InN、AiN等氮化物半导体应用于LED中具有独特的性能。以硅为衬底形成的氮化物半导体因其效率高、耐压性强、环保等特点。在现......
利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题．采用London模型，用变分法计算浅杂质态的结合能，研究材料的单轴异性对浅......
以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料已经成为世界范围的研究热点。但是，采用异质外延法生长的GaN，由于衬底材料晶格失配和热......
考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应，基于密度矩阵与久期处理方法，理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光......
美国加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）与三菱化学的研究小组在2007年9月16～21日于美国拉斯维加斯举办的氮化物半导体国际学会“ICNS-7”上．......
采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物半导体中电子表面态问题.计及电子与表面光学声子相互作用和结构异性的影响导出了系统的有效......
Vibration Spectra of Quasi-confined Optical Phonon Modes in an Asymmetric Wurtzite AlxGa1-xN/GaN/Aly
基于绝缘的连续统模型和 Loudon “ s 单轴的结晶模型，性质限制伪(质量管理) 光声子分散和电子 -- 在不对称的 wurtzite 量联合功能......
北京大学宽禁带半导体研究中心是2001年由物理学院的“氮化物半导体研究组”，“微腔物理和微结构光子学组”和化学学院的“固体化学......
InGaN/GaN量子阱太阳能电池在扩宽氮化物半导体太阳能电池光谱响应和提高电池效率方面有较大优势,近几年来受到了广泛关注.本文回......
本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱......
研制了不同厚度的直径为５－１５μｍ的ＧａＮ光学微盘，并 学微盘的显微荧光图像进行了细致观测和数据值采集。结果表明，在同一个ＧａＮ外延样品上由于厚度......
本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确.一个InGaN/GaN多量子阱样......
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率......
考虑到纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性,采用变分法研究了两支异常光学声子LO-like和TO-like对杂质态结合能的影响,即极化......
