氮化物半导体相关论文
随着智能手机、曲面显示屏、柔性可穿戴等光电子科技逐渐融入日常生活中,未来新一代光电器件的发展也已成为人们最关心的主题之一,......
Ⅲ族氮化物半导体（InN、GaN、AlN）,它们的光学带隙可以从0.7e V到6.2e V范围内连续可调,对应的波长范围覆盖了从近红外到紫外波段一......
本文主要研究了电子—声子相互作用及压力对纤锌矿结构氮化物半导体表面电子态的影响。计入电子与表面光学声子相互作用，采用变分法......
作为宽禁带直接带隙半导体,Ⅲ族氮化物材料体系的禁带宽度覆盖了从紫外光波段到可见波段再到近红外波段,广泛应用于固态照明器件及......
Ⅲ族氮化物是一种直接带隙半导体材料，拥有诸多优异的物理化学性质，通过改变合金比例，其禁带宽度在0.7eV到6.2eV间连续可调，发光波长可......
固态照明技术作为一项全新的照明技术，主要以半导体芯片为元件，直接将电能转换为光能，转换效率高。而Ⅲ族氮化物材料作为直接宽带隙半......
量子级联激光器的研究，具有重要的理论和实际应用价值，不论在通讯，医学，还是光探测等方面，有着重要的应用前景。本论文主要研究半导体子......
本文考虑纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性，在有效质量近似下采用变分理论研究了体材料杂质态结合能及其极化子效应；计及电子......
简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍......
利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题．采用London模型，用变分法计算浅杂质态的结合能，研究材料的单轴异性对浅......
考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应，基于密度矩阵与久期处理方法，理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光......
采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物半导体中电子表面态问题.计及电子与表面光学声子相互作用和结构异性的影响导出了系统的有效......
Vibration Spectra of Quasi-confined Optical Phonon Modes in an Asymmetric Wurtzite AlxGa1-xN/GaN/Aly
基于绝缘的连续统模型和 Loudon “ s 单轴的结晶模型，性质限制伪(质量管理) 光声子分散和电子 -- 在不对称的 wurtzite 量联合功能......
InGaN/GaN量子阱太阳能电池在扩宽氮化物半导体太阳能电池光谱响应和提高电池效率方面有较大优势,近几年来受到了广泛关注.本文回......
本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确.一个InGaN/GaN多量子阱样......
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率......
考虑到纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性,采用变分法研究了两支异常光学声子LO-like和TO-like对杂质态结合能的影响,即极化......
本工作报道了一种光辅助湿法腐蚀半导体氮化物ＧａＮ的新方法．这一腐蚀技术具有简单，易控制和低损伤等优点．采用２００Ｗ汞灯辐照和ＮａＯＨ溶液腐蚀可得到几......
<正>LED是发光二极管(light-emitting diode)的简称。自上世纪90年代氮化镓(GaN)基蓝光LED发明以来,其技术和应用不断进步,形成了......
给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能......
红外探测器广泛应用于夜视、热成像、通讯、制导、遥感控制等领域,在民用和军事上都有重要研究意义.本文从基本原理出发,介绍研究......
宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪末研究最活跃的半导体材料系，其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文......
