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Ⅲ族氮化物半导体(InN、GaN、AlN),它们的光学带隙可以从0.7e V到6.2e V范围内连续可调,对应的波长范围覆盖了从近红外到紫外波段一......
采用球型量子点模型, 应用有效质量近似理论, 研究了 (nc-Si/SiO2)/ SiO2多层量子点结构的激子能级和波函数。结果表明, 有限深势......
在16K至室温范围内测量了ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱.观测到对应于1E-1HH1E-1LH及1E-3HH跃迁的三个激子吸收峰.......
采用球型量子点模型,应用有效质量近似理论,研究了(nc-Si/SiO_2)/SiO_2多层量子点结构的激子能级和波函数。结果表明,有限深势阱模......
根据介质屏蔽的氢原子模型求解了单层过渡金属硫化物MoS2中A激子的结合能及能级谱图,所得结果与二维空间里的玻尔氢原子理论所得结......