随着集成电路和无线通信技术的快速发展,手机成为了人们生活中的必需品。进入5G时代后,由于用户对数据收发速度和稳定性的要求不断......

SOI(Silicon on Insulator)集成电路具有泄漏电流小,寄生电容小,功耗小,集成度高、抗辐射能力强等优点,已成为功率集成电路(Power ......

在工作频率进入吉赫兹以后，非准静态效应成为制约了射频集成电路性能的因素之一。本文针对体硅MOSFET、SOIMOSFET和LDMOSFET三种典......

提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET闻值电压特性分析的电荷分享物理模型，详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及......

本文通过对目前SOI工艺射频开关设计的介绍引出了两种新的开关设计技术。分别为通过BEOL优化来降低通道Coff参数和利用正压偏置解......

采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC~6GHz频带内,测得插入损......

采用0.18μm CMOS SOI工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,......

场板技术作为一种实用的结终端技术，因其所占面积小、制造工艺简单等优点，在功率MOS器件、高压集成电路和智能功率集成电路中得到了......

在工作频率进入吉赫兹以后,非准静态效应成为制约了射频集成电路性能的重要因素之一。本文针对体硅MOSFET、SOIMOSFET和LDMOSFET三......