射频集成电路相关论文
近年来,随着5G移动通信、智能家居、智慧城市等新兴应用场景的迅猛发展,高集成、低成本、高效率的硅基无线发射系统已成为现代无线......
随着万物互联时代的到来,物联网对射频集成电路的功耗、成本、性能要求越来越高。低噪声放大器作为射频接收机系统中的首级电路,它......
近日,中国电科55所国博公司上报的《2012-2014年集成电路企业研发能力实施方案》,凭借过硬的产业技术基础、良好的发展前景、具体......
据美国科技媒体报道,IBM计划在今年12月份在美国华盛顿举办的国际电子器件会议上,介绍其采用CMOS兼容工艺制造的2 GHz石墨烯实验型......
随着无线通信的不断发展，对射频集成电路的需求越来越大，近年来CMOS射频集成电路成为研究的热点。本文旨在研究设计在射频段工作的CM......
近年来，随着无线通信技术的迅猛发展，无线终端的小型化、低功耗、低成本、高性能已成为发展趋势，为此单片集成收发器已成为国际上研发......
本文通过“合成渐近”法得到有耗衬底射频集成电路中几种基本元器件的CAD公式。硅基射频集成电路采用硅衬底，其中上层介质（SiO）很薄，下......
近年来，随着通信技术的不断提高、通信协议的不断完善、通信市场需求的不断扩大，射频集成电路的应用和研究得到飞速发展。CMOS射频集......
随着相控阵技术的发展,其利用电子方法完成在各种介质的波束指向扫描,并且具有高性能、多功能等诸多优点,应用范围也逐渐从军事转......
全球卫星导航系统逐步成为空间信息获取不可或缺的部分,应用范围由专业市场扩展到民用市场。导航接收机前端作为在卫星导航系统的......
一、引言本文就雷达的未来要求、未来的技术发展和雷达总体及参数的选择三者之间的关系进行了研究。未来的要求计有:能更加灵敏地......
TD-SCDMA是由中国提出且拥有核心技术知识产权的第三代移动通信(3G)国际标准,发展前景广阔。巨大的市场需求推动和硅工艺技术的不......
随着无线通信产业的发展，人们对无线通信产品在尺寸、速度、功耗、价格上提出了越来越高的要求。在市场的推动下，硅基射频集成电路的......
MOS场效应管自上世纪60年代被研制成功后，因其具有集成度高、功耗低的优点，且截止频率不断提高，现在已被广泛应用于单片射频集成电路......
无线局域网（WLAN）技术不仅能够满足移动和特殊应用领域网络的要求，还能覆盖有线网络难以涉及的范围。由于CMOS工艺的长足进步，器件的截......
随着无线通信技术的不断发展,人们对高性能、大容量无线通信系统的需求越来越大,希望其在低成本、低功耗的情况下提供更高的数据传......
超宽带(UNB)技术研究始于20世纪60年代，是一种发射和接收含信息编码的极窄电磁脉冲的技术，其大的带宽使相应的通信网络具有很大的容......
随着集成电路技术的日益发展和移动通讯市场的快速增长,以CMOS硅工艺为基础的射频集成电路得到广泛的应用。射频集成电路的所有重......
在工作频率进入吉赫兹以后，非准静态效应成为制约了射频集成电路性能的因素之一。本文针对体硅MOSFET、SOIMOSFET和LDMOSFET三种典......
在射频通信电路中,电感在收发机的射频预选回路、低噪声放大器(LNA)、压控振荡器(VCO)、阻抗匹配网络和滤波器等各个模块中的应用......
设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器.基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的......
针对物联网IoT的小面积低噪声的需求,相对传统共源共栅结构的低噪声放大器,提出了一种新型低噪声放大器。核心电路没有采用传统的......
使用拟牛顿 ( Newton)算法 ,不用计算 Jacobi矩阵 ,保留了 Newton法的超线性收敛特性 ,是求解大规模非线性方程组的有效方法。文章......
提出了一种新颖的900～1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作。......
过去几年中,随着射频集成电路技术和系统结构的发展,移动电话中射频部分的很多分立器件已被替换.最为明显的就是接收机中分立的低......
根据赛迪顾问的数据,2004年中国射频(RF)集成电路的销售额达到52.6亿元,占整个通信类集成电路市场销售总额的9%,与2003年相比有显......
针对集成电路工艺容差所引起的器件偏差,设计了一款RC时间常数测量电路,适用于GSM系统的多相滤波器模块。电路采用可编程电容阵列,......
本文提出了一种封闭形式的分析方法来提取硅基在片变压器等效电路的模拟参数。运用一种新的去耦合技术以降低变压器的Y参数复杂度，......
传统的放大器电路级间耦合方法存在噪声系数达不到电路指标要求的情况,导致耦合效果较差。文中提出一种新的CMOS射频集成电路中多......
在传统共栅放大器结构基础上，基于0.18 μm CMOS工艺，提出一种带多重反馈环路技术的0.8-5.2 GHz宽带低噪声放大器（LNA）. 该电路采用的......
射频集成电路(RF IC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件,由于其高频特点,准确评估RF IC的性能具有相当的难度.文章以射......
鼎芯通讯（Comlent）与安捷伦科技（Agilent Technologies）今日联合宣布：两家公司合作建立的亚太地区首个“TD-SCDMA RFIC示范实验室”正式......
据市场调研咨询公司In-Stat/MDR的研究者称,到2005年全球所有家庭和办公室的无线以太网(Wi-Fi)接入点将达4400百万个.现有频带中消......
片上无源电感是RF IC中需求很高的器件．将适宜的磁材料引入到射频微电感中，既可有效地提升电感L值，从而使电感所需面积减小，又能保持甚......
采用集成工艺制作了片上铁氧体磁膜（Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4，Y2.8Bi0.2Fe5O12和Co7ZrO9）射频微电感．铁氧体薄膜采用溶胶凝胶法制作，高频特......
据美国科学促进会（AAAS）科技新闻共享平台EUrekAlert!近日报道，日本科学家在美国举行的射频集成电路论坛上宣布，他们开发出一种低能耗......
针对一种双平衡结构的无源CMOS混频器,分析了它的转换增益、噪声系数和线性等参数,在此基础上,推导了它的电路设计方程.设计了该混......
目前,射频电路存在广阔的市场,成为无线通信领域内研究的热点之一.文章主要介绍了基于CMOS工艺的射频电路的研究现状.......
介绍了一种直接混频的无线局域网802．11b接收机前端电路。在考虑输入寄生的前提下，对射频输入端的阻抗匹配和噪声性能进行了优化；提出......
设计并实现了一个用于GPS接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制的物理理解，电路中采用了噪声消除技术，以......
文章主要讨论了RF模型的现状和应用前景.首先说明了RF模型的一般要求,然后对其中的核心问题和目前关注的焦点进行了分析,如寄生元......
本文结合谐波平衡思想,提出在空间上离散MOSFET偏微分方程,建立与之相应的混合型多变量谐波平衡方程,扩展了谐波平衡方程的应用范......
介绍了一种适用于Bluetooth发接器的,可以单片集成的倍频式压控振荡器(VCO).这种VCO由两部分组成,主VCO的振荡频率是所需本振频率......
