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横向高压功率器件LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有耐高压、增益大、动态范围宽、......
高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路（HVPIC），是指将需承受高电压（需达数百伏）的特......
在日前召开的＂2012年中国半导体市场年会暨集成电路产业创新大会＂上,华润微电子有限公司（下称＂华润微电子＂）荣膺了＂2011年度中国十大半导......
华润微电子有限公司（以下简称“华润微电子”）在近日“2012年中国半导体市场年会暨集成电路产业创新大会”上，荣膺“2011年度中国十大......
本文介绍了一种高频荧光灯镇流器芯片的设计，在芯片的实现上充分体现了低压控制电路与高压功率器件在单一芯片上的兼容性。论文从该......
作为宽禁带半导体的典型代表,碳化硅(SiC)被认为是功率半导体器件的理想材料。与硅(Si)基器件相比,SiC功率器件具有高击穿电压、高......
高压功率电子器件在当今社会的应用已经越来越广泛,占据着不可替代的地位。近年来,随着科研人员的努力及研究的深入,已经出现了很......
IGBT作为最新一代的复合全控型功率器件,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、工作频率高等诸多优......
本文介绍了高压功率VDMOS器件对外延层的要求;讨论了n~-/n~+高阻厚层外延的工艺难点及解决办法。研制的n~-/n~+高阻厚层外延片已成......
通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关,提高了电路的频率稳定性.运用MEDI......
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