平带电压相关论文
本文就大台面高电压、大电流晶闸管玻璃钝化，从理论和实践上闸述了钝化机理，系统介绍了台面造型、玻璃涂复、熔烧等工艺途径，并给出了......
碳化硅(SiC)半导体由于其优异的物理和电学特性,近些年越来越引起人们广泛地关注,是应用于高温、高压和大功率电子器件领域的热门......
题示Ⅰ前言Ⅱ普通热生长二氧化硅MOS器件的辐照效应一、MOS器件的永久性辐照响应二、MOS器件的瞬时辐照响应Ⅲ MOS器件的辐照加固......
一、问题的提出 随着半导体器件向着小尺寸,高集成度方向发展,许多新的工艺技术比如电子束曝光、ⅹ-射线曝光、离子注入、射频溅......
一、引言MIS结构在半导体工艺控制和测量中已经得到广泛应用,尤其在半导体薄膜和界面研究方面更是不可缺少。要从C-V技术获得正确......
设计了metal-polysilane-silicon (MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V......
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究.结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结......
研究了pMOSFET中栅控产生电流（GD）的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬......
氧等离子体处理高阻P型〈100〉硅片上的聚硅烷涂层制备SiO2/Si结构。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功......
利用剂量为1013 cm～1016 cm-2,能量为0.4 Mev～1.8 Mev的电子束辐照Poly-SiO2/Si结构,对辐照后样品进行了C-V特性曲线测试.测试结果表......
氧等离子体处理高阻P型、〈100〉硅片上的聚硅烷涂层,制备了SiO2/Si结构.用C-V技术测量其MOS结构平带电压,结果表明平带电压随氧等......
研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室......
本文研究了电子束光刻中电子能量（10—30keV）和电荷剂量(10-6—10-3C·cm-2)对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火（<500℃）的影响。研究电......
通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载......
用C-V技术测量了铝膜和金球探针作为电极的MOS系统接触电势差,MOS系统的衬底包括（100）和（111）两种取向的n型和P型硅单晶片,SiO2膜用热......
通过阳极电化学氧化法,制备不同氧化程度的掺硼金刚石膜（BDD）电极,并对其进行表征。分别采用循环伏安法和Mott-Schottky曲线,研究不......
氮化镓半导体具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电场及高温热稳定等优良特性,特别适合工作在军事宇航等恶劣环境。将具有铁......
高介电常数栅介质材料在集成电路金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件和宽禁带半导体功率器件中的作用极其重要。当器件特征......
SiC材料作为新一代宽禁带半导体的重要代表,由于其宽禁带、高击穿电场、高热导率、高功率密度等自身优势,以及可直接由热氧化工艺......
学位
随着CMOS器件尺寸的不断变小,一方面由于通过SiO2或SiON栅介质的隧穿电流呈数量级的增大,SiO2和SiON栅介质需要被具有更高介电常数......
