超宽带隙半导体相关论文
2004年以来,石墨烯的发现让二维材料受到越来越多的关注和研究。由于超薄的厚度、原子级平坦的表面,二维材料拥有体相材料中不具备......
本论文围绕超宽带隙半导体材料Ga2O3和BN的制备及阻变特性展开了研究工作。超宽带隙半导体材料因其大的禁带宽度,高的电子迁移率以......
β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是......
