薄膜生长相关论文
图形化GaN、AlN或蓝宝石衬底,已被业内证明是提高薄膜质量的有效方法,而激光作为单步制备微/纳米结构的一种新方法已应用于很多领......
氢气作为新型清洁能源是人们追求环境和能源和谐统一的最佳选择。随着氢气在工业中大量生产和应用,研制出性能良好、结构简单的氢......
近些年来低维材料成为十分热门的研究内容,低维材料往往拥有独特的性能,相关应用价值体现在众多科研领域,这吸引了无数科研工作者......
作为基础的电子元器件,隧道结的发现在理论和实验上均有极其重要价值。隧道结以量子力学中的隧道效应为工作原理,在超导电子学、自......
金刚石因其极佳的物理化学性质,可应用于各种高端的科技领域,单晶金刚石,特别是大尺寸、高质量的单晶电子级金刚石,更是由于结构完......
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采用溶胶凝胶法制备CuCrCaO2薄膜,研究不同气氛、退火温度下, Ca掺杂量对薄膜的形成和电学特性的影响.在N2环境中1 100 ℃退火, 制......
在光通信飞速发展的今天，全光网络的实现已经不仅仅是梦想。对各种光波导器件的需求量也日益增大。商业化的环境必定会要求光波导器......
原子层沉积(ALD)是一种具有表面自限性的薄膜生长技术，可以在纳米范围内通过控制循环数，控制Al2O3的包覆量，从而提高聚烯烃膜的综合性......
利用高k介电薄膜材料替代传统的SiO2栅介质层是满足发展亚0.1μm以下尺寸的超大规模集成电路的要求，是目前微电子领域的研究热点之......
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO_2高介电质薄膜。系......
分形生长是分形物理中一个极富挑战性的课题。通过理论分析、建立模型并进行计算机模拟然后对计算机模拟得出的分形图象进行处理来......
反铁磁FeRh凭借自身的反铁磁—铁磁相转变特性在热辅助磁存储技术中具有重要应用潜能,有助于促进信息存储密度的进一步提高。同时,......
微纳米制造广泛应用于电子材料、生物医学、航空航天、军事等诸多领域,是推动新型产业发展的最为重要的技术之一。根据摩尔定律,特......
薄膜表面形貌定量研究有助于薄膜生长机理的认识。研究的薄膜是用激光脉冲沉积法(PLD)制备的ZnO∶Ga(GZO)透明导电薄膜。由于GZO薄......
光电子学的迅速发展使科学界对金刚石(带隙为5.5eV)和SiC(3C-SiC和6H-SiC的带隙分别为2.2和2.9eV)等宽禁带半导体材料的研究和应......
一、工作原理磁光调制器由秘取代的铁石榴石簿膜所制成,该薄膜生长在非磁性透明基片上,铋的单轴各向异性场矢量取向垂直于薄膜的平......
多晶CuInSe(简称CIS)材料,在薄膜太阳电池中具有重要的应用.CIS材料的特性对电池的性能有至关重要的影响,而GIS材料的性能与它的生......
薄膜生长机制是薄膜科学研究的重点内容之一.在原子水平上研究薄膜生长的微观机制对揭示薄膜生长的物理本质、发展薄膜制备技术和......
超高真空(UHV)分子束外延(MBE)及扫描探针显微镜(SPM)技术作为薄膜生长和表征的重要工具,已在很多研究领域取得广泛而重要的应用,......
随着器件和材料尺寸不断降低,对微观尺度上的尺寸控制及成分控制提出了更高的要求,原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)可以......
碳纳米管具有优良的电学及热学性能,这些特性使其成为了下一代集成电路互连材料的候选之一。但是碳纳米管实际应用到半导体集成电......
本课题以Ti、Si、N三种粒子共沉积形成的纳米复合硬质薄膜为研究对象，初步尝试用计算机来模拟在单质Ti薄膜和Ti-Si-N三元薄膜生长过......
聚集、吸附、沉积等现象是自然界中广泛存在的物理过程。二肽分子在溶液中聚集成网状的凝胶结构,可以用于药物缓释或水处理；海洋生......
为了制备一种新型的纳米金刚石复合薄膜，我们采用理论计算结合实验制备的方法对其进行了研究。理论计算方面，本文采用VASP(Vienna Ab......
薄膜催化剂化学气相沉积(CVD)法是制备高定向阵列式碳纳米管的有效方法之一。金属催化剂薄膜的制备一般采用物理气相沉积(PVD)法,P......
本文介绍了DLC膜的不同制备方法和原理，总结了DLC膜的光学、力学、电学等性能及其在国内外相关领域内的应用情况，并指出了目前在实际......
在钒的氧化物中,VO、V_2O_3、VO_2、V_3O_5、V_6O_(13)和V_2O_5具有温度相变特性,当材料温度低于相变临界温度时,该材料显示为半导......
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信息社会的迅速发展要求各种电子元器件具备微型化与高性能化的双重特征。高性能钴基磁性薄膜的研究、制备和开发越来越受到人们的......
载能粒子沉积技术是一种通过整体或部分提高沉积粒子能量来改善薄膜宏观性能的有效手段。本论文针对铀钛合金的腐蚀防护问题,从理......
学位
在单晶硅Si(100)上用LaNiO3 (LNO)作为缓冲层,采用化学沉积法制备Bi3.15La0.85Ti3O12 (BLT)薄膜。样品分别在600℃下氧气和氮气气......
薄膜形成的早期阶段包括粒子在衬底上的沉积、簇或岛的形成和长大并相互连接形成连续的结构，由于在形成连续结构前薄膜的晶粒尺寸就......
氟取代的有机半导体材料在光电性能和固体结构上表现出与未取代的同类材料不同的特征。有机薄膜的生长、结构的演变及其对光电性能......
论文研究了在自行研制的常压MOCVD系统上进行了ZnO薄膜的生长和性能分析。论文主要有两大块内容:1、用X射线双晶衍射仪对蓝宝石衬......
本文采用自制MOCVD系统对Al2O3(0001)及Si(111)衬底上ZnO薄膜材料的生长进行了研究，并研究了Al2O3(0001)衬底上ZnO薄膜经HCl、H2SO4......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带宽度半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV、激子束缚能高达60 meV。由于ZnO材料来源广泛,制备成......
本文利用Monte Carlo方法,结合薄膜生长理论,采用Turbo BASIC语言编写程序,对外延薄膜的生长过程进行了模拟。所用的模型为改进的......
薄膜材料不仅包含丰富的物理信息和物理理论基础,还在材料科学、电子技术、信息技术、生物技术等众多领域有着广泛的应用,是近年来......
以硝酸锌和硝酸钾混合溶液为电解液,采用两电极体系在FTO基片和p-Si(100)衬底上制备了c-轴取向的ZnO薄膜。通过改变电沉积过程的各......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带(3．3 eV)化合物半导体材料。相对于氮化稼(GaN)、铟锡氧化物(ITO)和二氧化锡(SnO_2)而言，具有原材料丰......
纳米有序结构具有高的比表面积,是提高TiO_2薄膜光催化活性的一个重要途径。在之前的研究工作中,我们课题组利用钛金属和H_2O_2之......
ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其室温常压稳定相的晶体结构为六角纤锌矿结构,室温下禁带宽度约为3.37 eV,激子......
近年来，纳米多层膜由于其结构的人工可设计特点及其不同于单层膜的特殊性能而备受关注。1970年，Koehler首次提出两组元多层结构的强......
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