Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点，在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有......

当今,5G通信技术和市场正迅速发展,业界对更大输出功率、更高频率和更高击穿电压类通信芯片的需求开始在近些年争相迸发。近十年,......

相比于传统Si基功率MOSFET,AlGaN/GaN HEMT具有更强的沟道导电能力、更小的寄生电容（CISS和COSS）,且不存在由寄生体二极管引入的反向......

氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体,具有一系列对电力电子器件发展非常有利的特点。与Si器件相比,GaN器件的击穿电场、电子迁移率......

GaN器件在经过近十年的高速发展后,相比于传统硅基MOSFETs,其在高速、高效、高功率应用领域已展现出越来越明显的性能优势。为充分......