功率二极管相关论文
为降低传统机械式断路器动作过程产生的触头烧蚀、暂态恢复电压与介质恢复过程的竞争、关合涌流等暂态过程的影响，该文提出一种用于......
本文基于近年来的工作，对高功率二极管泵浦固体激光器的一些关键技术问题进行了分析，提出了向更高功率水平发展可行的技术方案，并讨论......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
惯性聚变能源(IFE)是公认的安全、无碳、可持续发展的洁净能源。从技术指标,光束结构、放大器结构、增益介质和系统效率、二极管抽......
以功率二极管为实验对象,研究了大电流条件下脉冲法结温测量中校温曲线随电流变化的现象.通过搭建脉冲法校温曲线测量装置,在不同......
研究了高功率二极管激光器芯片焊接工艺和铜微通道冷却器技术,针对不同应用需求,分别设计了背冷式及微通道冷却器模块式堆叠封装结......
针对垂直GaN肖特基二极管击穿电压低、泄漏电流大等问题,提出了一种具有鳍状(Fin)阳极结构的高压垂直GaN功率二极管.该结构利用阳......
随着功率半导体器件不断地发展,其在不同领域得到了越来越广泛的应用。随着器件上功率密度的不断增加,结温引起的器件可靠性降低、......
随着高频功率二极管在电力电子装置的应用日益广泛，其由于PN结在导通变成截止状态过程中的反向恢复引起的各种负面现象也日益显著，其......
硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W......
从半导体器件物理角度,分析了从正向恒定电流IF(3A)转变到零输入的P+-N-N+功率二极管的瞬态响应,解释了瞬态过程中电流反向并达到......
功率二极管是电力电子变换电路中重要开关器件。在大容量逆变变换电路中高功率二极管表现出较强的非理想开关特性。在分析二极管正......
n-区掺杂浓度采用多层渐变式结构的p+(SiGe)-n--n+异质结功率二极管,对该新结构的反向恢复特性及正反向I-V特性进行了模拟,从器件......
二极管激光器市场在经历了3年持续稳步增长后，尽管某些强势产品的销量增加，尤其是通信和大功率二极管应用的产品，但2006年的年销售总......
为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p＋、n＋区形成的mosaic结构来代......
提出了用于高频电力线路中的一处大功率软恢复二极管新结构。该二极管阳极由低注入效率的Ｐ区及高注入效率的Ｐ区组成。大电流下Ｐ区的高......
阐述了2CZ234型大电流小封装整流组件的研制过程。根据技术指标要求，进行了产品结构参数及工艺流程的设计，并且对管芯工艺参数进行反......
将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p^＋（SiGeC）-n^--n^＋异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的......
变频器在工业生产中具有无可比拟的优越性，但是由于变频器中要进行大功率二极管整流、大功率晶体管逆变，结果是在输入输出回路产生高......
提出一种新型软开关DC-DC变换器.分析了其工作原理并进行了原理实验,所提出的拓扑电路实现了主功率开关、辅助功率开关及功率二极......
由于高质量自支撑氮化镓(GaN)衬底的出现,垂直型GaN-on-GaN器件获得了快速的发展并具有较高的功率等级和工作频率。本文讨论了垂直......
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体,具有一系列对电力电子器件发展非常有利的特点。与Si器件相比,GaN器件的击穿电场、电子迁移率......
TI公司的DRV8662是集成了105V升压开关、功率二极管和全差分放大器的单片压电触摸驱动器。该通用器件可以驱动高压和低压压电触摸......
两级式逆变器通过储能元件进行解耦,实现前后级独立控制,控制器设计简单,可实现MPPT,光伏组件无需串联到高电压等级,被广泛应用于......
以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更......
论文将SiGeC/Si异质结技术用于功率二极管反向恢复特性的改进,首先研究分析了Si基应变材料的晶格结构,形成压应变和张应变的机理,......
功率二极管的反向恢复电流增加了与其互补导通的开关管的开通损耗,使电力电子电路的损耗模型复杂化。传统的功率二极管反向恢复特......
针对功率二极管反向恢复既快又软的开关特性要求,根据Rajapakse.二极管反向恢复模型,模拟二极管反向恢复I-t、V-t变化规律,模拟结......
概要介绍了第三代半导体材料碳化硅(SiC)在高温、高频、大功率器件应用方面的优势,结合国际上SiC肖特基势垒二极管,PiN二极管和结......
半导体二极管阵列激光器是高效、小型、全固态源。本文论述高功率二极管阵列激光器的性能和关键技术,并给出了它最新的进展和未来......
在功率系统中,小的正向开启电压、低反向漏电流、高开关速度和高反向击穿电压是一个良好的整流器件需要具备的条件。对于SiC功率二......
简要介绍了功率二极管在混合式断路器中的应用，在Matlab＼Simulink中建立了二极管的反向恢复集总电荷模型，详细分析了串联二极管的反向......
目前日益突出的环境问题,让人们更加注重发展绿色环保产业。节能减排,减轻环境污染已经成为全社会的责任。使用性能优越的电力半导......
随着功率器件向着大容量、高频率方向的发展,对续流二极管也提出了更严格的要求,硅作为自然界最丰富的材料之一,以硅为基础的功率......
功率二极管非理想特性表现为较高的正向恢复电压与反向恢复电流。本文在分析二极管非理想特性产生机理的基础上,研究了功率二极管......
<正> 功率半导体器件包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路。功率半导体器件技术是电力电子技术的基础与核心。它是微电子......
对电力电子开关器件如二极管、GTO、晶闸管、MOSFET和IGBT的现有仿真模型进行了归纳和总结,并比较了各种器件不同模型之间的优缺点......
功率半导体器件在能源高效转换、系统精准控制及新能源利用等方面有着得天独厚的优势,如何利用功率半导体器件组成的电力电子系统......
随着电力行业智能化发展需求,高压开关作为电力系统中必不可少的机械部件,其智能化程度影响着整个系统的智能化水平。同时,电力系......
电力电子技术高频化的发展趋势要求功率开关二极管必须具有快速开通和高速关断的能力，即具有短的反向恢复时间(trr)，较小的反向恢复......
二极管作为电子系统的基本组成部分,也是最简单和应用最广泛的半导体器件之一。二极管的参数是否符合相关标准的规定,将直接影响电......
针对中高压无功补偿电容器投切过程中的暂态过电压和涌流,提出一种基于功率二极管与电机操动机构的机械开关并联组成的混合式中高......
一些应用要求尽可能高的功率效率。例如,在某种恶劣环境下,要求DC/DC电源在高环境温度下工作,这时就需要低功耗,以让半导体器件的......
利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°......
