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超薄GOI相关论文
基于Ge浓缩技术和O_3氧化制备超薄GOI材料
采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火,制备出19nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料。然后对该GOI材料在400℃下......
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超薄GOI
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