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采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火,制备出19nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料。然后对该GOI材料在400℃下......
高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔.本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系......
绝缘体上的锗硅（SiGe．On．Insulator，SGOI）材料不仅是高迁移率新型沟道材料应变硅的良好衬底，其本身也是一种极具潜力的高迁移率衬底材料．G......
Ge材料拥有高的空穴和电子迁移率,以及在通信波段光吸收系数大等优点,因此在器件的应用方面备受青睐;SGOI材料,结合了SOI和SiGe材......
光互连是一种通过光来高速传递信息的技术,它具有高传输速率、大传输带宽等优点,因此以光互连代替电互连将是今后的一大发展趋势。......
首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片，然后在超薄弛豫SiGe层上，利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜，获得一系列不......
绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采......
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