GOI相关论文
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GOI指标是流体包裹体丰富程度的一种表征，其大小决定于储层或圈闭内流体的充注程度；其值及属性变化可以反映出油气的充注历史。利用......
采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火,制备出19nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料。然后对该GOI材料在400℃下......
,Investigation of strain effect on the hole mobility in GOI tri-gate pFETs including quantum confine
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从学报编委、审稿专家、作者、读者等主要元素入手，用具体案例分析《上海电机学院学报》在行业背景下融入企业元素后，为企业服务，为科......
Using a Modified GOI Index (Effective Grid Containing Oil Inclusions)to Indicate Oil Zones in Carbon
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
防止党员先进性教育走过场,首先要上到领导,下到普通党员,提高认识,身体力行。率先垂范,听群众呼声,让群众监督,把群众满意作为教......
本文采用以蒙特卡罗方法为基础的SRIM软件模拟He离子注入对Ge中缺陷行为的影响,为高质量GOI(绝缘体上Ge)材料的制备提供理论指导。......
GOI (包含油包括的谷物) 索引被用来在沙岩油水库区分油地区，油水地区和水地区。然而，这个方法不能直接被使用焦化不能有清楚的小粒......
研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H＋注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成......
随着技术的不断发展,为了满足器件性能的要求,超大规模集成电路(ULSI)的栅氧化层的厚度不断的减薄,由20-30nm降至几个纳米。然而,......
GOI（含油流体包裹体丰度指标）是流体包裹体丰富程度的一种指标，其大小决定于储层或圈闭内流体的充注程度；其值及属性变化可以反映出油......
