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近年来,由于原子级纳米器件的制作受到越来越多的关注,该领域成为了半导体物理和现代工业中的研究热点。人们对原子级尺度的异质外......

随着纳米科学的发展和新材料的开发，人们希望借助于硅(Si)基低维纳米材料外延生长的人工微结构，使原有的半导体材料获得更优越的光电......

本论文介绍了自行设计和搭建的首台全国产化的能得到Si表面高质量原子分辨的超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)。该超高真空扫描隧......

利用超高真空扫描隧道显微镜观测到：室温下稳定吸附在硅Si(111)-7×7重构表面的富勒烯分子在引入金属银原子后，却发生了五种吸附取向......

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)系统研究了室温下富勒烯分子在Si(111)-7×7重构表面上的吸附行为,统计的结果显示富勒烯分子......

本论文实现了一种新型的由银诱导的重构表面的制备及结构表征。超高分辨的STM图像清楚地表明这种重构表面的基本单元由4个Ag原子组......

Si作为最重要的半导体材料,其表面结构及外延生长一直是人们关注的研究课题。鉴于Au/Si界面在电子器件和表面催化等方面的广泛应用......

金属硅化物具有低电阻率和高温稳定性，其外延生长与传统的硅基集成电路（IC）工艺兼容，有望用作集成电路器件中的欧姆接触或肖特基势垒接......

采用超高真空扫描隧道显微镜（UHV-STM）和分子束外延（MBE）系统,研究了在半金属镓表面上的氟化并五苯（perfluoropentacene）分子的自组装单......

利用超高真空扫描隧道显微镜观测到室温下无手性的酞菁锌分子在铜(100)表面上呈现出类风车状的手性特征。x射线光电子能谱测量和密......