辉光放电沉积相关论文
本文报道了对直流辉光放电沉积的非晶态硅氢合金的光致发光的测定结果.采用488nm氩离子激光器作为光源,试验温度在77K下进行.试验......
本工作主要研究了直流辉光放电沉积非晶态硅氢薄膜时,沉积参数,如衬底温度(T_)、反应气体成分对沉积薄膜基本物理性能及结构不均......
本工作研究了二种不同衬底温度的直流辉光放电沉积非晶态硅氢薄膜(a-Si:H_x)热处理后的结构、氢含量及光电异性能的变化。热处理......
本文报导对直流辉光放电沉积的非晶态硅氢合金的光致发光的测定结果。光致发光设备采用488nm氩离子激光器作为光源,试验在温度77......
用高频阴极辉光放电沉积在控制基片温度来制备氢化非晶态碳(a—C:H)膜,退火温度上升到600℃,这些膜的喇曼光谱在波区1000～1800cm~(-......
研究了等离子体工艺参数对射频辉光放电沉积的a-Si:H膜中氢的键合状态的影响及氢在退火时的释放机理。结果表明:可以通过不同的制......
