衬底温度相关论文
本征氢化非晶氧化硅(i-a-SiOx:H)是a-Si:H/c-Si异质结太阳电池中重要的钝化材料之一。本文采用PECVD法研究不同沉积衬底温度下n-Cz......
物理气相沉积得到非晶薄膜往往具有独特的性质,其具有更高的玻璃转变温度,焓值更低,稳定性更好,密度更大,模量更高等特点。通过冷......
有机场效应晶体管（OFETs）作为有机器件,以其不同于无机器件的优良特性而得到了广泛的关注与发展。随着OFETs的器件结构不断优化以及......
近年来，Al掺杂的ZnO（ZAO）透明导电氧化物薄膜，以其价格低廉、无毒性、在氢等离子气氛中性质稳定等优势，而受到研究者的广泛关注，已经成为......
Sn Se薄膜太阳能电池因制备成本低廉、光伏性能优异、制备方法灵活等特点被称为具有潜力的新一代能源器件。但现有的Sn Se薄膜太阳......
无线通信、光纤通信系统飞速发展，低频段已经被占满，必须向高频段发展。高频声表面波(SAW)器件使用频率的升高，使它在雷达、电子战、......
Ｂ－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了Ｂ－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作......
报道了用氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）ｐｉｎ二极管作光敏层，扭曲向列型液晶（ＴＮＬＣ）作电光调制层的光寻址空间光调制器（ＯＡＳＬＭ）的设计、制作与性能测试．结果表明制得的（ＯＡＳＬＭ）分辨......
利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以氮气为等离子体气源,硅烷为前驱气体在玻璃衬底上低温沉积了氮化硅......
将3,4,9,10-苝四酸二酐(PTCDA)分别与单层二硫化钼(MoS_2)和石墨烯结合构成有机-无机异质结,并研究其荧光性能。在MoS_2/PTCDA体系......
能源短缺和环境污染推动了太阳电池的快速发展,开发低成本、低能耗和高转换效率的太阳电池具有重要意义。新型n型金属-绝缘层-半导......
学位
为了研究衬底温度对硒化锌薄膜微观结构和光学特性的影响,采用电子束蒸发技术在K9玻璃基底上制备了单层的硒化锌薄膜。通过研究薄......
随着经济的快速发展而带来的能源紧缺,人们对楼宇的门窗玻璃要求不再局限于遮风挡雨的基本功能,人们希望建筑玻璃窗口能够更加节能......
由于独特的电磁和物理化学特性,纳米级金属体系结构在电子,Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)设备、诊断、生物传感、光谱学......
在过去十年钙钛矿太阳能电池(Perovskite solar cells)光电转换效率急剧上升,引起研究人员极大的关注。钙钛矿不仅运用在光伏领域,......
Ni_xO_y薄膜是一种常用的无机阳极电致变色材料。但由于Ni_xO_y薄膜具有响应时间较长、光学调制幅度范围小,循环稳定性较差等缺点,......
三氧化钨(WO_3)薄膜是一种重要的无机电致变色材料,但是基于纯WO_3薄膜的电致变色器件在着色效率和循环稳定性等诸多方面远远不能......
用高功率的Ｎｄ３＋：ＹＡＧ脉冲激光轰击真空室内的石墨靶，形成激光等离子体雾状物质，在硅衬底上沉积形成类金刚石薄膜．用椭圆偏振光谱法测量不同衬底......
用射频磁控反应溅射方法，在高纯Ｎ２、Ａｒ（纯度均为９９．９９９％）的气氛中，以高纯Ａｌ为靶材，成功地制备了ＡｌＮ薄膜．研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的......
用简并四波混频技术 (DFWM)研究了nc Si∶H薄膜的三阶非线性光学性质 ,观察到了这种纳米薄膜材料的位相共轭信号 ,测得晶态比为XC1......
采用脉冲激光沉积法在Si(10 0 )衬底上制备了Pb(Zr0 .52 Ti0 .4 8)O3 铁电薄膜 ,并用X射线衍射 (XRD) ,扫描电镜 (SEM )对其结构、......
采用固相反应法制备了四方相结构的SnO2靶材,选用蓝宝石衬底,利用脉冲激光沉积法在不同温度下生长了一系列SnO2薄膜。X射线衍射测......
纯ZnO电阻率高,电学性能不稳定,通过掺杂其他元素提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺......
固体物质种类繁多、分类各异,但就其内部结构而言,可分为结晶体与非结晶体两类。近十多年来,非晶态的研究有长足发展。非晶态硅(a......
由磁控溅射法制备的氢化非晶硅薄膜具有宽司的电学、光学、光电和微结构特性.而且微结构变化对于电导率是灵敏的.特别是薄膜的暗电......
GaSb热光伏电池结构中的p-GaSb层是主要的光子吸收区.为了改善p-GaSb层的性能从而提高电池的转换效率等指标,首先研究了不同衬底温......
拓扑绝缘体(topological insulator)是当下极为热门的一种新型材料。此类材料体态绝缘，而表面则呈导电的金属态。在自旋-轨道耦合相......
作为常用的低温超导材料,铌金属超导转变温度(rC)可达9.3 K,铌薄膜的最高TC值也接近这一温度。铌薄膜因其导电性好,化学性质稳定,......
SnO_2是目前应用最广泛的一种气敏材料,可以用来检测各种易燃、易爆及危险气体。本文从理论和实验两方面对其进行了研究。采用基于......
在VLSI 工艺中,Al 互连具有举足轻重的地位,本文重点对Al 薄膜的溅射工艺及蚀刻工艺进行详细的研究。磁控溅射中,溅射温度对溅射铝......
学位
随着社会发展和科技的进步,人们对具有良好发光性质材料的需求日益增强,相关研究越发深入。氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙半导......
透明导电薄膜(TCO)具有低的电阻率、可见光范围高的透射率,由于其独特的电学和光学特性,在众多领域得到了广泛的应用。相对于ITO材......
随着现代薄膜生长技术的发展，半导体薄膜已进入人工设计多层异质结构的新阶段。具有一维周期结构的晶态超晶格因为具有诸如量子尺寸......
微晶硅薄膜具有与非晶硅薄膜相同的低温制备、工艺简单、便于大面积生产等优点，同时具有较高的光电转换效率和较好的光照稳定性，所以......
能源节约和环境保护问题已经是当今全世界普遍关注的两大问题。而太阳电池作为一种节能环保装置,是利用太阳能产生光伏效应的一种......
随着集成电路技术的发展，晶体管的特征尺寸已经减小到45nm 以下，栅氧化层的物理厚度小于2nm，导致栅极漏电流增大，采用高k材料取代二氧......
该论文主要研究了发光峰值位于585nm的橙黄色ZnS:MnTFEL器件的电致发光特性以及提高其发光亮度的方法;研究了带电中心和陷阱对ZnS:......
本文的目的就是研究金刚石薄膜生长速率和生长条件的关系，寻找金刚石薄膜快速生长的途径。 本研究采用热丝化学气相沉积(HFC......
Al掺杂ZnO薄膜(AZO)是一种新型的透明导电薄膜,具有广泛应用前景。采用高密度AZO靶材用RF磁控溅射法在玻璃衬底上制备出AZO薄膜样......
ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV,可以实现室温紫外激光发射。在大气条件下,ZnO......
利用脉冲激光沉积技术(PLD),在A1203单晶片上依次溅射沉积SrTi03(STO)、ZrO2:8 mol%Y2O3(YSZ)和 Ce0.9Gd0.1O2-δ(GDC),制备周期数......
透明导电薄膜由于高透光和高电导的特性而被广泛应用于太阳能电池前电极、平板显示、有机发光二极管等领域。锡掺杂氧化铟(ITO)薄......
