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边缘感应电场效应相关论文
纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析
随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件......
学位
SOI MOSFET
短沟道效应
漏致势垒降低
异质栅
肖特基源漏
高k栅介质
边缘感应电场效应
频率色散
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