异质栅相关论文
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场......
为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗......
为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流，首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构，这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂......
为了抑制深亚微米SOI MOSFET的短沟道效应，并提高电流驱动能力，提出了异质栅单Halo SOI MOSFET器件结构，其栅极由具有不同功函数的两......
为了抑制异质栅SOI MOSFET的漏致势垒降低效应，在沟道源端一侧引入了高掺杂Halo结构．通过求解二维电势Poisson方程，为新结构器件建立......
研究异质栅单Halo沟道SOI MOS器件的隐埋层中二维效应对器件特性,如电势分布、阈值电压等的影响,仿真结果表明,隐埋层中的二维效应......
本文提出一种源漏轻掺杂异质栅结构石墨烯纳米条带场效应晶体管GrapheneNano Ribbon Field-effect Transistor（HMG-LDDS-GNR-FET），采......
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件......
提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem......
应变硅材料迁移率高、能带结构可调,且其应用与硅工艺兼容,是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点,在高速/高性能器件和电路中......
学位
几十年来器件尺寸遵循着等比例缩小定律持续减小,随着MOSFET器件特征尺寸进入亚100nm至纳米级,器件的很多技术指标已经接近其物理......
学位
随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件......
SOI(silicon On Insulator,绝缘体上硅)技术从20世纪60年代开始受到关注,80年代以后又有了较大的发展,90年代后期进入部分商用领域......
首先,本文采用量子力学模型,基于非平衡格林函数和泊松方程自洽求解方法,研究n-in型的碳基场效应管的电学特性,探讨不同结构的碳基......
本论文基于量子输运理论中的非平衡格林函数和泊松方程自洽求解方法，研究了轻掺杂源漏（LDDS）和异质栅（HMG）对MOSFET的电学特性的影响，在......
本文在全量子力学模型框架下，采用非平衡格林函数方法研究了碳纳米管场效应管的电子输运特性，其目的在于为基于碳纳米管场效应管的纳......
碳材料场效应晶体管是目前研究的热点，石墨烯和纳米碳管因其具有独特的电子能带结构和优越的电子传输特性而被认为是最有可能成为构......
