重掺杂直拉硅相关论文
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀......
由空位聚集而形成的空洞型缺陷(Void)是直拉硅单晶中一种重要的原生微缺陷,它们的存在不仅会使栅氧化物的完整性(GOI)受到严重破坏......
