氧沉淀相关论文
体微缺陷(BMD)是直拉法制备单晶硅片中最重要的缺陷之一,其密度大小对集成电路的良品率有着重要的影响。本文通过对硅片体微缺陷密......
在同时考虑到氧外扩散和沉淀作用的情况下,研究退火后间隙氧分布和洁净区宽度随退火时问的变化。根据同质成核理论,推导最大成核速......
近年来的研究表明，在直拉单晶硅(Czochralski silicon，CZ-Si)中掺氮可以用于调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，同时，掺氮直拉单晶硅(NCZ-Si)......
近年来，在微波晶体管和超大规模集成电路的研制、生产中，已经越来越多地采用在重掺衬底上外延薄层材料，如N／N~+与p／p~+外延结构。采用这......
本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照，在硅中引入大量的亚稳态缺陷，研究这些亚稳态缺陷的形成，并在较宽的温度范围内对辐照样......
目前，铸造多晶硅材料已经取代直拉单晶硅成为最主要的太阳能电池材料，但是铸造多晶硅电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池的转......
300mm大直径硅片要求双面抛光，以获得满足集成电路制造要求所需要的平整度。双面抛光工艺的引入使得传统外吸杂工艺面临淘汰，内吸杂......
用直拉法生长的单晶硅中，氧是最常见的杂质，硅材料制备过程使用的内吸杂工艺则是以氧沉淀及其诱生缺陷为基础。铜作为最常见的过渡族......
功率半导体器件在计算机、通信、消费电子和工业控制以及在电力电子等领域获得广泛的应用,它们还在节能减排中发挥着重要的作用。......
采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速......
对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度......
研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产......
研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZ)中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响 .通过不同温度高温退火后 ,测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微......
利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,......
研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64h过程中的氧沉淀行为.结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的......
使用N2和N2／NH3混合气氛作为快速热退火（RTA）气氛，研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响。在N2／NH3混合气氛下，RTA处理后，......
用透射电镜（ＴＥＭ），扫描电镜（ＳＥＭ）和光学显微镜研究了淀积在单晶衬底上的多晶硅层的吸杂能力，研究显示多晶硅还存在两种吸杂的效能：一是能增强内吸......
论述了使用透射电镜来研究氧沉淀的形态与热处理温度和时间的关系.对氧沉淀的生成动力学,研究的现状和存在的问题以及发展前景也进......
对国内外在重掺硅中氧沉淀方面的研究做了综合阐述,对氧沉淀研究现状和存在问题进行了讨论,同时就热处理,掺杂剂对氧沉淀的影响做......
本文研究了快速热处理工艺（RTP）在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区（Dz）的影响。研究表明：在模拟的CMOS热处理工艺......
硅中的氧化诱生层错(OsF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量.要求对OSF有充分了解.综述了氧化......
总结了氢对直拉硅（CZ）单晶中缺陷影响的研究进展，主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成，以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺......
通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理，研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况．研究证实：高温快......
通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实......
主要通过单步退火与二步退火的方法,借助于红外光谱仪、扫描电镜等研究了太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀性质,发现太阳电池用直拉硅......
利用傅立叶红外光谱仪研究了掺氮直拉单晶硅（NCZ）和普通直拉单晶硅（CZ）的原生氧沉淀以及模拟太阳电池制备热处理工艺下的氧沉淀行为。......
研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层......
在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中......
CZSi中掺入等价元素锗，能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在700℃退火时，抑制杆状氧沉淀的生成，在900℃退火时，锗对......
研究了重掺硼(HB)、重掺砷(HAs)以及重掺锑(HSb)直拉(CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力，将不同程度(～10^12cm^-2，～10^14cm^-2)沾污Cr的硅......
通过在不同条件下退火，研究氮杂质对重掺锑硅(HSb-Si)中氧沉淀的影响．实验结果表明，在高温单步退火(1000～1150℃)和低高两步退火(650℃......
研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响．实验结果表明，三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布，即表......
利用低温光致发光谱研究了直拉硅单晶中位错的光致发光．实验发现普通直拉硅单晶在晶体生长过程中引入的位错密度高于10^7cm^-2时，位......
掺氮直拉硅单晶近年来引起了硅材料产业界和学术界的广泛关注。氧沉淀是直拉硅单晶缺陷工程的重要研究课题。对掺氮直拉硅单晶氧沉......
研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响．实验结果表明：在快速热处理工艺下。间隙......
研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响，实验结果表明，经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高......
主要通过单步退火、二步退火的方法,借助于红外光谱仪,研究了太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用,发现碳在单步退火过程中不......
300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NH3混合气......
直拉单晶硅(CZ)中的氧沉淀一直是硅材料学术界重要的研究课题。业已证明空位和氮都能够促进直拉单晶硅中的氧沉淀。MEMC公司根据空......
太阳能作为一种用之不竭的可再生能源受到越来越多的关注,但较高的成本是阻碍其大规模应用的主要原因,而提高电池的转化效率是减低......
本文报道高氧高碳cz硅单晶中的氧碳沉淀及其相互作用的研究.确定了氧碳沉淀的主要形态为无定形SiO2和颗粒状的SiC.得出了氧碳不发......
近年来,世界著名的硅材料供应商—美国的MEMC提出了一种基于RTP的所谓的“魔幻洁净区”(Magic Denuded Zone,MDZ)内吸杂术,因此引......
氧是直拉硅单晶中最重要的非故意掺入的杂质,与此相关的氧沉淀一直是硅材料的重要研究课题。在某一温度下,氧沉淀在达到平衡状态后......
