择优腐蚀相关论文
通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450—800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺......
2205双相不锈钢(DSS 2205)由于其具有强度高、塑性好及耐蚀性优良等优点而被广泛应用。但在实际应用中通常涉及到弯曲、轧制、拉伸......
观察到,当用高纯铝丝(含铝99.99％)在外延基座表面划线作记号,再将外延片衬底放在该位置上,进行常规的SiCl_4-H_2还原法外延,然后将......
功率半导体器件在计算机、通信、消费电子和工业控制以及在电力电子等领域获得广泛的应用,它们还在节能减排中发挥着重要的作用。......
本论文通过PbS纳米晶体与不同金的前驱体在十二伯胺(DDA)存在下一步反应法分别合成了接近单分散的多聚体和二聚体纳米结构，它们均是......
观察了三种热处理工艺下U-2Nb合金的组织,分析了其微观结构和相成分.精确测定了U-2Nb合金中α相和γ相的点阵常数计算出了两相中的......
该文在无位错单晶硅的检验检测方法GB/T1554-2009的基础上,结合太阳能单晶硅位错腐蚀坑的分布规律,通过实验总结分析,得出了针对太......
期刊
氧是直拉硅单晶中最重要的杂质之一，利用氧沉淀及其诱生缺陷作为器件制造过程中有害金属杂质沾污吸除的氧内吸杂工艺在轻掺硅单晶中......
(一)引言 GaAs是闪锌矿结构,在[111]方向有极性,当选择适当的择优腐蚀液时,各晶面的腐蚀速度有[110]≥B[111]≥[100]>A[111]关系......
本文在总结实验的基础上,给出了化学腐蚀的选择原则。并针对化学腐蚀中较重要的晶向择优和异质择优腐蚀,借助大量的曲线和照片,就 ......
本文用高纯金属Fe、Cr、Cu、Au及光谱纯、FeCl3、CuCl2和NaCl的水溶液,在工艺条件可能的情况下,对直拉（111）硅单晶片进行有意沾污,并......
单晶硅作为微电子元件系统中普遍使用的一种结构材料,其加工方法一直是人们研究的焦点。由于传统机械加工方式的局限性,如不能切割......
由空位聚集而形成的空洞型缺陷(Void)是直拉硅单晶中一种重要的原生微缺陷,它们的存在不仅会使栅氧化物的完整性(GOI)受到严重破坏......
本文简要介绍扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)的特点。分别介绍它们在半导体分析中的一些特点与局限。SEM分析与TEM分析在半导体显微......
