量子阱材料相关论文
以砷化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是半导体材料非常重要的组成部分.同共它半导体材料(主要是Si、Ge)相比,这类半导体具有禁带......
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量子阱红外探测器（QWIP，Quantum Well Infrared Photo-detector）在响应速度、均匀性、抗辐照、多色集成和加工成本等方面的明显优势，成......
低维纳米材料是材料在三维空间中至少有一维介于0.1 nm-100 nm之间，如石墨烯、量子点、碳纳米管、纳米线等。由于在受限方向上的尺......
本语文要运用半经典理论研究了半导体量子阱材料中的光学双稳态行为和四波混频光场的产生。首先简要介绍了半导体量子阱的生成机制......
随着半导体量子阱材料的发展，量子阱器件广泛应用于各种领域。本文主要介绍量子阱的基本原理，重点从量子阱材料．量子阱激光器、量子阱......
综述了半导体量子阱材料的最新发展动态及其制备技术....
介绍了应变量阱材料单结点失配位错能量平衡模型，计算了一些典型量子阱 阱层临界应变和应变体材料的最大允许应变。报告了Ｎｏ．５５８压应变量......
初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量.当805nm的......
极化子研究是凝聚态物理学领域的一个重要课题.论述了极化子的概念及种类,详细介绍了半导体体材料和量子阱材料中极化子理论的研究......
半导体超辐射发光管是一种介于半导体激光二极管和半导体发光二极管之间的一种半导体光源，它的出现和发展是受到光纤陀螺的驱动，并成......
本文利用透射电子显微镜、光致发光谱、X 射线双晶衍射和电子全息等多种实验手段和方法,深入地研究了二维InGaN/GaN 多量子阱结构......
随着当今信息传输量急剧增长,全光通信网已经成为未来通信网络的发展方向。在全光网络系统中,光交叉连接设备(OXC)与光分叉复用设......
当前对自由电子激光和量子阱材料的研究同处于高科技的前沿，但自由电子激光对量子阱材料的辐照效应研究却进行得很少，因而这是一个相......
自由电子激光和量子阱材料都是当前科研的热门领域，而自由电子激光对量子阱材料的辐照研究却进行的很少，因而这是一个新颖的课题。本......
