器件可靠性相关论文
氮化镓（GaN）材料具有宽带隙、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等诸多优势,在射频和大功率领域具有巨大应用潜力。基于AlGaN/GaN......
随着摩尔定律的发展,基于MOS结构的存储器件逐渐逼近物理极限。同时,尺寸微缩和工艺迭代的成本壁垒迫使产业界寻找新的存储方案。......
近年来,随着新能源发电、电动汽车、通信电源以及智能电网等新兴应用快速发展,对电力电子装置的效率和应用环境提出了更为严苛的要......
波长可调谐半导体激光器在通信、传感及检测等方面有着重要应用。可调谐半导体激光器内部缺陷、陷阱和结构的不完整都会引起1/f噪......
对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实......
将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅......
圆片级封装再布线层结构改变焊盘布局从而提升器件I/O密度和集成度,在移动电子产品中得到广泛应用,其热机械可靠性备受关注。按照J......
采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响。研究结果表明,常规热氧化工艺......
一、分立半导体器件可靠性分立半导体器件的质量其主要指标是技术性能、精度、时间稳定性、耐震、抗腐蚀、抗潮湿、抗电磁干扰。......
聚酰亚胺是一种新型耐高温钝化材料,涂敷在硅表面上形成的薄膜带有负电荷,可以削弱硅表面电势,此外聚酰亚胺还具有物理和化学性能......
本文着重介绍无氧铜在真空电子器件中的应用及技术要求.尤其是无氧铜的含氧量等性质对真空电子器件可靠性、电性能参数的影响.......
本文以加速寿命试验和失效分析为主要研究手段，对GaN LEDs器件退化机理进行了比较深入的研究，并对一些关键工艺提出了改进措施。主要......
研究了28 nm多晶硅栅工艺中Ge注入对PMOS器件的负偏压温度不稳定性(NBTI)的影响.在N阱中注入Ge,制作了具有SiGe沟道的PMOS量子阱器......
文章将相关积分方法用于MOSFET 1/f噪声分析,发现器件的1/f噪声与RTS叠加模型产生的1/f噪声相关积分极其相似.通过对MOSFET噪声物......
11月24日-26日，航天科技集团公司组织召开了“2011年航天质量与可靠性信息培训及经验交流会”。集团公司质量技术部、航天质量可靠......
高压场效应管是 BCD 工艺中的核心器件,常用有 LDMOS（Lateral-Double-Diffused MOS,横向双扩散场效应晶体管）和 DDDMOS（Double-Diffus......
功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电......
期刊
报道了声表面波(SAW)后工艺环节对基片粘接剂的固化程度、不同制作条件、不同封帽环境制作的滤波器,通过在高温、负温以及高温加速......
<正>虽然采用应力工程技术可以通过增强迁移率实现令人难以置信的性能增益．但也会引起器件的可靠性退化。尤其是还必须把负偏置温度......
热电转换技术利用泽贝克和佩尔捷效应实现电能和温差之间的转化,因其无机械结构,工作时无污染等优点而在空间电源、废热回收等领域......
近年来有机半导体发光及其应用引起了人们的极大关注。用有机半导体材料制备的发光器件具有高效率、高亮度、全彩色、低成本等突出......
以金属氧化物半导体晶体管(MOS)为核心器件的互补式金属氧化物半导体晶体管(CMOS)工艺在现在的集成电路工艺中处于主流地位,现在的......
随着集成电路工艺进入纳米时代,晶体管器件可靠性问题成为芯片设计过程中必须重视的一环。Cadence的可靠性仿真分析工具RelXpert,......
LDMOSFET(Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tran-sistor,横向扩散金属氧化物半导体场效应管)是高压功......
蓝、白光片式LED器件是当今半导体光源的宠儿,用作移动通信工具的显示光源更是一种时尚。自从1992年第1只氮化镓(GaN)基蓝色发光二......
由于各种原因,国内对器件内腔水汽的危害还没给予充分重视和有效控制,器件内部水汽含量较高,使之在环境温度低于封装内水汽露点温......
