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基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应研究
SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性,这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照......
学位
陷阱
4H-SiC
MESFET
频散效应
金属半导体场效应晶体管
干法刻蚀工艺
非线性微波
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