干法刻蚀工艺相关论文
本文主要对晶圆制造生产线上,多晶硅栅刻蚀工艺在工作中所碰到的刻蚀残留所造成的良率低下和线上缺陷检测异常的案列,进行深入的分......
在此次研究中,针对TFT-LCD干法刻蚀影响TFT特性的程度进行了重点研究,通过优化刻蚀条件,使Photo-Iof得以降低,实现改善TFT-LCD闪烁......
随着半导体技术的不断进步，人类已经越来越接近硅材料的物理极限，摩尔定律被不断的挑战。对于硅平面器件而言，提升性能已经越来越困难......
SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性，这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照......
