本文报道了在Si衬底上生长温度对InN薄膜晶体质鼍的影响。采用MBE法在不同的生长温度下制备了InN的缓冲层,通过XRD、XPS、RHEED等......

自1986年发现铜氧化物高温超导体，已有30年。此后在2008年又发现了铁基高温超导体。但这些非常规超导体的微观机制问题至今仍未解决......

本文报导了运用 L P- MOCVD制备蓝光 L ED In Ga N有源区的最近进展 ,以及高温生长技术带来的优越性。通过对 Zn掺杂 In Ga N薄膜......

AlN是一种性能优异的III-V族氮化物材料,在大功率器件、紫外与深紫外光电子器件等领域应用广泛。金属有机化学气相淀积(MOCVD)是制......