晶体质量相关论文
AlN薄膜是第三代半导体材料,具有带隙宽、优良的声波特性、高热导率、优异的稳定性等特点,在光电、医学等多领域都非常有应用前景......
源炉是分子束外延设备中的核心部件之一,对于分子束外延设备及其成膜性质具有决定性的影响,源炉的性能对于外延薄膜的厚度均匀性、......
磷化铟（InP）是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,具有很多的优越特性,是制备半导体器件的衬底材料,在光源、光纤通信、高速大型计算机等领域得......
目的获得真空退火对氧化石墨烯纸的还原特性,为制备石墨烯纸柔性功能材料提供有效的还原方法。方法通过不同温度真空退火对氧化石......
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ......
利用 MOCVD技术在提高生长温度 (90 0℃ )下生长出了高质量的立方相 Ga N ,生长速度提高到 1.6μm / h.高温生长的 Ga N样品近带边......
掺钕铝酸钇晶体的质量与原料的纯度有着密切的关系,原料的提纯是提高晶体质量的重要环节。在市售的5NY_2O_3中,稀土杂质(如Sm、Dy......
据《科学时报》2005年6月9日报道。中科院半导体所的科技人员重点研究和解决了大直径半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶从研究到生产的重......
根据物理气相传输法(PVT)AlN晶体生长特点及工艺要求,自主设计了AlN晶体生长炉及其配套热场。FEMAG软件热场模拟结果表明,自主设计......
氧化镓（Ga2O3）,作为第三代半导体的代表材料之一,具有大禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高介电击穿强度、优良热/化学稳定性、强抗辐......
作为优秀的第三代宽禁带半导体材料,GaN基材料在电子器件领域和光电器件领域中都具有非常广阔的应用市场。Ga N基发光二极管(light......
作为第三代宽禁带半导体材料的代表,氮化铝(AlN)晶体具有宽带隙,高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及高抗辐射能力等优点,在......
近年来,Ⅲ族氮化物由于其优异的性能在功率电子和光电子领域的应用越来越广泛。到目前为止,绝大部分商用的Ⅲ族氮化物器件是生长在......
针对碳化硅单晶生长过程中压力控制范围大,控制精度高的需求,改变了常规的PID控制,将模糊PID算法应用到碳化硅单晶生长的压力控制......
本文讨论了两种适用于Ｘ射线激光实验的聚焦型弯晶谱仪和针孔晶体谱仪．给出了弯晶谱仪的设计参数，以及针孔晶体谱仪在实验中摄得的线状......
溶解度是初中化学的重要内容，也是高考考查的热点知识现将其基本知识和常见考点总结如下. “本文中所涉及到的图表、注解......
尽管2007年《考试大纲》中已删去“掌握有关物质溶解度的简单计算”这一考点，但并不意味删去与溶解度有关的其他知识点.如饱和溶液......
ＢａＴｉＯ３晶体新的生长方法，即感应加热三温区溶质传输熔剂法。其要点使高温熔体分为三个温区，坩埚顶部为生长区（Ａ区），温度最低，坩埚底部为溶解区（Ｃ区......
用Ｂｉ２Ｏ３作自助熔剂，对Ｂｉ２２１２单晶的生长特点作了较为细致的实验研究．就助熔剂含量、热循环、坩锅的污染、熔体的非共熔性、各向异性生长速度以......
ＬｉＧａＯ２与ＧａＮ的晶格失配率只有０．２％，是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验，用提拉法生长了尺寸为１５×６０ｍｍ的高质量ＬｉＧａＯ２单晶。利用化学侵蚀、光学显微......
本文研究并确定了从铂坩埚中生长大直径钽酸锂单晶的工艺及其单疇化条件;介绍了晶体与器件的性能;讨论了晶体提高质量、降低成本的......
分析2：在此题中因为△ABC为直角三角形，所以可以通过建立直角坐标系，利用解析的方法来求角.以下我们通过建立直角坐标系，从两个知识点......
近年来，ZnO光泵浦紫外激光的获得和自组装谐振腔的发现显示了用ZnO制作光电器件的潜力，随之ZnMgO合金半导体也成为近期关注的一个研......
钇铁石榴石(Y3Fe5O12，YIG)在磁性理论研究和微波技术应用中具有重要地位，也是最早商业化应用的磁光晶体。YIG在1200nm～5000nm波段范围......
本论文从目前光电探测器件中受到广泛关注的Cu_2O薄膜材料入手,针对Cu_2O材料采用传统制备技术,容易在制备过程中产生Cu O相杂质,......
我们利用分子束外延(MBE)在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜，为消除ZnO与Si衬底材料之间由于热胀系数不同所造成的薄膜裂痕，生长的温度设定......
ZnO是宽禁带、高激子束缚能的新型半导体材料,具有优异的光电特性,因此被公认为重要的光电材料之一。为了得到更宽带隙的ZnO基合金......
利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用......
为了研究不同压力和不同模板对InAlN薄膜外延生长的影响,分别选取以GaN为模板时生长压力为4.00、6.67和13.33 kPa,压力为4.00 kPa......
用变压器型电导仪实现了ＫＤＰ晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度±０．０３ｇ ＫＤＰ／１００ｇ Ｈ２Ｏ（±０．１０％相对过饱和度），控制精度与测量精度相当......
碲锌镉(CdZnTe)作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因其具备优异的光电性能,成为制备室温辐射探测器的理想材料。但生长态的CdZnT......
采用熔体提拉法,通过设计合理的晶体生长温场结构和优化生长气氛等,有效抑制了镓挥发,结合原料预处理及缩颈等工艺,成功生长出了高......
复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是......
成果描述：本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AIN并退火处理（简称为“AIN预处......
通过对长白山区随机采集的东北兔的详细研究,了解东北兔种群组成为:雄性/ 雌性数量比为53∶44,经显著性检验与1∶1无显著性差异,雌......
东北兔各年龄组间体重、体长均有极显著差异,表明随年龄增长东北兔的体重、体长也相应增长.对不同年龄组的东北兔晶体质量与体重、......
生长高质量蛋白质晶体一直是结构生物学领域的瓶颈问题之一。因此，研究蛋白质结晶方法学，提高获得高质量蛋白质晶体的几率，意义重大。......
研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征。结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生......
在两面顶细粒度金刚石合成中采用PtRh30-PtRh6（双铂铑热电偶）测量温度，测得了合成芯块内部温度，得出了加热功率曲线与晶体生长温度的对......
空间微重力环境可消除或减弱常重力场下溶液中存在的对流和沉降，为蛋白质晶体生长提供一个相对均一扣稳定的环境，有利于得到尺寸更大......
1928年印度科学家在实验中发现了拉曼散射,经历80多年的发展。这一能用光谱来表征分子或晶体结构组分信息的光谱技术引起了越来越......
获得高质量蛋白质晶体一直是X射线衍射解析蛋白质结构的瓶颈问题，因此研究提高蛋白质晶体质量的方法具有非常重要的意义。近年来人......
最近,笔者有幸对一个特级海蓝宝石大晶体进行了部分结晶学、宝石学研究,实感欣慰。这个晶体质量2.326kg.由两个性质不同的柱状晶体......
籽晶辅助生长高效铸造多晶硅技术已成为当前市场的主流技术,籽晶的尺寸和形貌对多晶硅形核具有较大的影响。该文研究了原生大尺寸......
