金属有机化学气相淀积相关论文
用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以O2为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001)面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜......
在金属气相淀积工程中，要保持淀积的连续性就要维持适当的压力和气体流向。在淀积过程中，气相到固相的变化包涵了一个外观体积的跃变......
会议
研究了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的AlN外延层。通过改变生长室压强，发现降低压强对提高AlN外延效率有显著的效果，因......
会议
采用金属有机物化学气相沉积(MOVCD)技术制备了不同GaN垒层厚度的InGaN单量子阱。低温PL测量发现，随着GaN垒层厚度的增加，InGaN量子......
采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及P型GaP层进行了研究。通过优化生长条件，在GaN上生长出了单晶GaP薄膜，其(111)X射线衍......
通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InG......
本文提出了一种改进的准热力学模型.计算结果与Clur等人、Matloubianh等人和Asif Kuhn等人的实验结果吻合.从改进的准热力学模型的......
会议
(Ⅲ)InP衬底的生长工艺受到人们的广泛关注.相比于(100)InP,(Ⅲ)衬底上生长的多重子阱激光器具有更低的阈值电流、更强的量子限制S......
采用全MOCVD生长工艺制作的DC-PBH结构的1550nmDFB激光器较过去的LPE工艺有利于降低阈值电流密度,提高激光器效率,本文通过低压MOC......
本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办......
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别......
采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术，在InP (100)衬底上生长In0.82Ga0.18As，研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、......
ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制......
本文报道了采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法进行的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的生长实验,分别为顶部出光结构和底部出光结构,......
本文是第九届全国金属有机化学气相淀积学术会议论文摘要。本次会议向我们展示了我国在这一领域的最新进展和成就，探讨了亟需解决的......
会议
本文研究连通式双反应室高温金属有机化学气相淀积(MOCVD)系统克服半导体薄膜材料在异质外延中的晶格失配和热失配等问题.有利于制......
高纯氨和高纯三甲基镓是金属有机化学气相淀积的关键支撑材料.本文研究高纯氨和高纯三甲基镓的纯化工艺,净化技术以及金属杂质的检......
对采用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)技术生长的GaN1-xPx 三元合金进行了低温光致发光 (PL)和X射线衍射 (XRD)测试分析 .与来自GaN......
GaN1-xPx三元合金具有巨大的带隙能量弯曲系数，掺入少量的P就能有效地调制其带隙变窄，形成一种Ⅲ-Ⅴ氮化物窄带隙新材料，从而可实现从......
在近红外区域，InxGa1-xAs是非常重要的红外探测器材料。近年来，对于高In组分的InxGa1-xAs探测器需求在不断地增长，主要应用在空间成像......
报道了热氧化制备钠米ZnO薄膜的光致发光.首先利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)工艺,在硅(100)衬底上制备了高质量的ZnS薄......
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层.结果表明,铝和镓的并入效率基本相等,这有......
期刊
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生......
应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程，发现生长主要发生在衬底表面的台阶处，当通过控制生长参数达......
根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGa1-xAs临界厚度的数值解,得......
采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了......
我们用MOCVD技术在(0001)取向的蓝宝石衬地上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7％时没有第二相物质出现。Rama......
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的，组分均匀的AlGaN外延层，结果表明，铝和镓的并入效率基本相等，这有别于......
采用低压金属有机化学气相淀积（LP-MOCVD）技术,在InP（100）衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶......
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,......
通过一系列实验，对聚焦离子束诱发MOCVD的成膜机理进行了研究，给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型．发现随着离子束流......
本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统，该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件，在多层复杂结构的生长中改善材料质......
为了系统研究VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理,设计了专门的材料结构并采用MOCVD技术进行外延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的......
采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了......
会议
为了系统研究VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理,设计了专门的材料结构并采用MOCVD技术进行外延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的......
AlN是一种性能优异的III-V族氮化物材料,在大功率器件、紫外与深紫外光电子器件等领域应用广泛。金属有机化学气相淀积(MOCVD)是制......
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长......
利用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术，生长了InGaAs／AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构，通过对不同腔长单管激光器......
非致冷红外探测器及其列阵是近年红外探测器发展的一个新趋势。Ⅲ-Ⅴ族InGaAs半导体材料特别是与InP衬底匹配的In0.53Ga0.47As已经......
学位
使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数，研究了......
期刊
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs980nm量子阱.研究了生长温度,生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条......
共振隧穿二极管(Resonant Tunneling Diode,RTD)作为一种新型高速两端负阻纳米器件,基于量子隧穿机制,具有量子效应,使RTD有着其它......
学位
Ⅲ-Ⅴ族化合物InxGa1-xAs,作为半导体材料,其截止波长随In组分含量的变化而变化,变化范围为0.87~3.5μm。InP是常见的生长InxGa1-x......
本文概述了GaN基发光材料的基本特性和GaN基器件的应用领域及未来的发展前景.简述了GaN基材料的生长技术,着重介绍了金属有机化学......
期刊
