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脉冲激光沉积法制备β-FeSi2半导体薄膜
采用脉冲激光沉积(PLD)法在P型Si(100)衬底上制备了β-FeSh半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线......
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