β-FeSi2薄膜相关论文
本文采用 X 射线衍射分析（XRD）结合原子力显微分析（AFM）及高分辨电子显微分析方法（HRTEM）,研究了 β-FeSi2 薄膜的形成和生长以及 Fe/Si ......
β-FeSi_2具有高的光电转化效率,是一种很有潜力的薄膜太阳电池材料。ZnO具有高的透过率,是一种优良的电池窗口材料。因此,制备高......
作为一种新型的半导体材料,β-FeSi2在热电、发光、光电等领域有着很好的特性,因此可以用来制造光传感器、热电器件、太阳能薄膜电......
本文采用磁控溅射方法制备了均一大尺寸环境半导体β-FeSi2薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜研究了不同Fe膜厚度对制备β-FeSi2薄膜的......
近年来,环境半导体β-FeSi2作为光电材料的研究引发了人们的广泛关注。本文通过直流磁控溅射+RTA的方法在Si(100)和4H-SiC(OOOI)衬......
用磁控溅射法沉积了Fe/Si多层膜和Fe单层膜,在真空和Ar气中热退火2 h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜.发现Fe/Si多层膜在880℃温度......
本文基于脉冲激光沉积（PLD）方法及热退火处理方式，利用输出波长为1064nm的Nd：YAG脉冲激光器在P型Si（100）衬底上生长了均匀的单相β-FeSi2......
报道了在单晶Si（100）衬底上，采用室温直流磁控溅射Fe—Si组合靶的方法，并经过后续气氛退火来制备β-FeSi2薄膜的结果。主要研究了退火......
以6H-SiC(0001)Si面和Si(100)为衬底,采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶两靶共溅射的方法,并经过后续的快速退火成功制备了β-FeSi2薄......
采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-Fe......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在P型Si（100）衬底上制备了β-FeSh半导体薄膜，并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程，最后采用X射线......
采用射频磁控溅射方法,在Si（111）和石英衬底上制备了Fe/Si亚层厚度比不同的多层膜。多层膜的总厚度为252nm,Fe/Si亚层厚度比分别为1n......
铝掺杂氧化锌ZnO:Al（AZO）薄膜具有低电阻率、在可见光范围内的高透光率、耐H离子和H活性原子轰击等性能。这些优异的性能使其有望替......
本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜。结果表明,在本实验条......
采用离子束溅射Fe靶的方法在500～800℃的Si（111）衬底上制备出不同种类的铁硅化合物。当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-......
