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45nm叠层电容工艺相关论文
1G比特内嵌自检自修复DDR3 DRAM存储器芯片设计
芯片采用45nm叠层电容工艺技术,采用旋转分区的对称存储体(BANK)芯片架构。内嵌自检测修复(ECC)电路设计可以用来检测和纠正出错的数据......
期刊
45nm叠层电容工艺
内嵌自检测修复(ECC)
DDR3
DRAM
45nm stack processembedded ECCDDR3DRAM
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