用从头计算方法总能理论研究了6H—SiC（0001）（√3×√3）R30°衬底上生长的GaN薄膜的界面结构特性．计算结果表明：GaN膜为Ga极性的......

碳化硅（SIC）是第三代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体，H2为......