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HfO2高k栅介质漏电流机制和SILC效应
利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层,研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)......
期刊
HFO2栅介质
泄漏电流输运机制
Schottky发射
Frenkel—Poole发射
SILC
PACC
7360
7755
EEACC
2550
2530
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