Al掺杂ZnO相关论文
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO和Al掺杂ZnO的能带结构和介电常数,又采用固相反应法在600℃......
ZnO材料是一种性能优良的直接带隙半导体材料,其拥有宽带隙、大激子束缚能、制备手段多样、原材料丰富等优点,此外ZnO材料不但本身......
采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)基片和石英基片上制备了具有高c轴择优取向的Al掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、电子探针、透射......
研究了Al掺杂对采用直流磁控溅射方法制备的ZnO薄膜结构及光学性能的影响。X射线衍射结果揭示薄膜具有良好的C轴择优取向生长特性，......
采用均匀沉淀法,以尿素、Zn（NO3）2.6H2O和Al（NO3）3.9H2O为原料,在水-乙二醇溶液中制备了Al掺杂ZnO（ZAO）纳米棒.X射线衍射（XRD）分析表明：纳米......
本文用平面波赝势方法（PWP）计算了Al掺杂ZnO前后的光学特性，即介电函数虚部ε2（ω）并从能带结构和态密度图上解释了为什么掺Al后ZnO的光......
Al掺杂ZnO(AZO)具有电导率高、光学透射率高的优点,且原料来源丰富、制备成本低廉,被认为是最有应用潜力的透明导电薄膜。本文利用......
采用超声喷雾热解法在玻璃衬底上制作了不同浓度Al掺杂的ZnO∶Al薄膜（AZO）。采用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）、反射光谱（R......
Al掺杂ZnO(AZO)薄膜由于电导率高、光学透过率高、原料储量丰富、成本低廉而成为最具潜力的透明导电薄膜。本实验采用射频磁控溅射......
采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO 薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X 射线衍射仪、X 射线......
采用水热法结合溶胶-凝胶法在SiO2基片上制备了不同Al含量掺杂的ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射仪（XRD）,电子扫描显微镜（SEM）,透射光谱和......
在近几十年里,材料科学取得了长足的发展。随着信息时代的来临和多学科的交叉,人们对具备各种优异性能的新材料需求日益迫切。半个......
随着半导体、计算机和太阳能等领域的迅速发展,ZnO材料广泛应用于高清平板显示器、透明电极、太阳能电池板和各种光电子设备。本文......
