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AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外......
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以氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为代表的Ⅲ族氮化物材料,属于直接带隙宽禁带半导体材料,具有良好的化学和热稳定性。这类半导体以其优异......