非易失性存储相关论文
由于“内存墙”等问题的存在,“冯·诺依曼”计算机的发展面临着极大的挑战。于是,发展超越互补金属氧化物（CMOS）器件的新型电子元件......
众所周知,铁电材料具有自发电极化,并且电极化在外加电场作用下是可以切换的。由于它在电光学、压电和非易失性存储设备等不同方面......
继石墨烯和过渡金属硫化物之后,黑磷（BP）成为新一代的层状半导体材料。由于具有带隙适中（0.3～2 e V）、载流子迁移率高(～1000 cm~2V-1s-1)......
近年来人工智能技术飞速发展,传统计算机架构已不能很好地满足高效率、低功耗的要求;研发基于新型非易失性存储技术的类脑神经元计......
目前，深度置信网络(deep belief network:DBN)、卷积神经网络(convolutional neural networks: CNNs)等主流神经网络模型在众多领域......
闪速存储器简称闪存,作为一种非易失性存储设备,为近年来被广泛应用的一类半导体存储器件。其中NAND闪速存储是目前闪速存储技术中......
近年来,随着晶体管的尺寸不断减小,短沟道效应的日益加重使得硅基器件的速度和功耗逼近了物理极限,因此需要寻找新型的沟道材料,以......
半导体产业作为全球信息产业的基础,是一个资本与技术高度密集型产业,产业发展的关键是“钱”和“人”。在中国半导体产业崛起的过......
目前在研发中的新一代非易失性存储器主要包括铁电存储器、相变存储器、磁阻式存储器和阻变存储器(Resistive Random Access Memor......
Optane未来潜力无疑是巨大的，4K随机读取性能峰值或可达到464300 IOPS，是其现有企业级SSD P3700的五倍还多，对电脑体验提升相当可观，非......
目前,半导体领域中,已有的半导体材料和技术的研究已经达到了物理临界点,新的技术突破迫在眉睫。近年来,在非易失性随机存取存储器......
随着微电子集成技术的不断发展,当前主流的非易失性存储技术——基于电荷存储的Flash存储器遭遇到了抗疲劳特性差、访问速度慢和操......
存储器是计算机的记忆装置,它的主要功能是存放程序和数据.程序是计算机操作的依据,数据是计算机操作的对象.存储器作为半导体元器......
研究光折变多重全息图分批热固定方法,依据热固定的基本理论模型研究离子补偿后的全息电子光栅在分批记录和定影过程中的光擦除特......
随着互联网对我们生活和工作的影响越来越深入,互联网应用终端的PC产品也得到了进一步普及。而眼下,无论是PC整机还是DIY市场,似乎......
为加快NVMe控制器的开发进程,实现NVMe标准命令的快速仿真验证,提出一种基于BRAM的NVMe控制器原型仿真平台的设计方法。将采用块随......
当今社会,随着科技的不断发展,把所有物品通过信息传感设备与互联网连接起来,进行信息交换,即物物相息,以实现智能化识别和管理的......
忆感器是一种有记忆能力的非线性电感器,其电感值的变化依赖于流过它的电荷数或磁通量。对于这种新的纳米级的电子元件,从电路学的......
主要介绍了火灾报警系统中的信息存储及其在天津钢管公司火灾报警系统中的应用....
随着电子工业的迅猛发展，诸如个人电脑、手机、数码相机和媒体播放器等信息技术设备已成为人们日常生活中不可缺少的一部分。无论从......
中国，北京，2015年8月12日--全球领先的存储解决方案提供商希捷科技公司（NASDAQ：STX）今天在闪存峰会发布全新的Nytro XF14402.5寸，Nytro X......
随着系统芯片SOC设计技术的普遍应用,对应的可靠性问题逐渐成为关注的焦点.提出一种应用在SOC设计上的内存检查点技术,通过硬件逻......
磁电耦合效应是指磁场控制电极化或者电场控制磁性的物理现象,它们为开发新型电子器件提供了额外的物理状态自由度,具有巨大的应用......
现今计算机已深入人们的日常生活,随着嵌入式系统设备的普及,嵌入式应用向着深度嵌入、泛载互联、普适计算方向发展。为了提高嵌入......
随着晶体管尺寸的不断减小,集成电路的体积和计算性能越来越逼近极限,CMOS的发展面临着巨大的挑战。忆阻器,作为一种新型纳米电子......
设计出了多相位信号控制仪，在抗干扰性方面有几种行之有效的解决方法，并得到了实际验证。......
近年来,为了满足人工智能技术进一步发展的需求,越来越多的研发团队将目光投向了全新的非易失性存储技术。阻变随机存储器(RRAM)是......
非易失性存储常常采用外部串行存储器莱实现，其中，12C接口产品就是最常用的一种类型。，这种产品和其他EEPROM存储器一样，在使用时会存......
1概述近来年,鉴于对智能手机等移动终端技术的需求不断增长,导致非易失性存储器（NVM）的需求也非常旺盛,而物联网则继续扩大着NVM的应......
针对遥测领域记录器出现的容量有限、连续记录速率慢和掉电再上电传输中断问题,设计了一种基于现场可编程门阵列(field-programmab......
多铁材料中磁有序和铁电有序共存,通常具有磁电耦合效应,可以用磁场来调控电极化P,电场来调控磁矩M,这为磁性与电性调控提供了新的......
随着新型非易失性存储器件的快速发展和成本的不断降低,客观上为以数据为中心的大数据处理模式提供了新的思路。内存计算技术应运......
提出了一种在便携式仪器中使用非易失性存储器存储重要数据的方法,以避免在使用RAM保存数据时由于电池失效带来的损失;同时,只需简......
Isuppli在最近的研究报告中表示，在所有应用领域中，嵌入式非易失性存储正成为系统厂商中日益扩大的一项重要需求。可编程逻辑解决方......
采用脉冲激光沉积法在SnO2：F（FTO）衬底上制备了非晶Pr0.7Sr0.3MnO3（PSMO）薄膜,并对具有Au/非晶PSMO/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性......
信息科学技术的高速发展对信息存储技术提出了更高的要求。体全息存储是一种适合高密度数据存储的光学存储技术，它同时具有存储密度......
为了克服硅集成电路发展可能达到的极限尺寸效应,开发新型电子材料成为科学界广泛研究的课题。在众多的新型电子材料里面,有机半导......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
这里主要介绍了一种单片机控制的数据传输存储装置，通过单片机进行控制从而实现数据的掉电非易失性存储，当供电停止时，数据不会丢失。......
<正>前言传统的机械硬盘(HDD)虽然存储容量大,成本低,但其读写速度和性能较差,日渐无法满足存储领域的需求。相反,固态硬盘(SSD)凭......
随着集成电路技术和二维材料加工工艺的飞速进步,人们已经将传统半导体器件的特征尺寸缩小到纳米量级,尤其以台积电等国际大厂为代......
<正>信息科学技术是全球高新技术竞争焦点,也是各国发展新兴产业的战略必争领域,对社会和经济的发展具有革命性影响。近一年多,该......
大数据时代的来临为存储系统提供了新的机遇,同时也提出了新的挑战。传统的基于动态随机存储（DRAM）的内存架构面临着容量、能耗、可......
<正>互联设备和数字服务的爆炸式增长产生了大量的新数据。为了让这些数据变得更有价值,必须对这些数据进行快速存储和分析,而这也......
