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In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究
对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm~2的电子束辐照实验。实验结果显示,电......
期刊
量子阱
Ga
In
As/GaAs
光致发光谱
电子束辐照
发光波长
注量率
能量传递
非辐射复合
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