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场发射理论自1928年建立以来,一直是国内外研究的热点之一,具有广泛的实际应用前景。近年来,国内外相关研究人员一直在寻找良好的......
氧化锌（ZnO）是一种宽禁带直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物,因为其在压电、光电、气敏、声表等领域独特的优势而受到学者们广泛青睐。......
纳米ZnO作为一种宽带隙半导体材料具有许多突出的物理化学性能,在光催化、气敏、发光等领域具有重要的应用前景。为了更好地提高其......
氧化钨(WO_3)是一种宽禁带(2.6-3.2e V)的金属氧化物半导体,因其在电致变色材料、光催化剂和太阳能电池电极中的应用而被广泛研究......
利用水热法合成了花状SnO2微米材料,并以它作为基体,对其进行Au纳米颗粒修饰,得到了花状Au-SnO2复合材料。利用X射线衍射（XRD）、扫描......
