场发射相关论文
石墨相氮化碳（g-C3N4）具有物化性质稳定、生物相容性好等特点,另外其具有合适的导带及价带位置,凭借这些优势,g-C3N4在光催化领域显......
场致发射阵列阴极（FEA）又名冷启动阵列阴极,具有低功耗,高电流密度,启动速度快,寿命长等众多优点,在民用领域和军工领域应用甚广,如:......
早期真空电子器件的广泛应用,得益于其可以实现在高频段、大功率条件下工作的显著特性,但器件集成化的困难阻碍了它的进一步发展。......
以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体由于具有带隙宽（Eg=3.39 eV）、低的功函数（4.1 eV）,好的物理和化学稳定性,机械强度,以及低的电子......
场发射电子源具备束斑亮度高、能散小、功耗较低、可以瞬时启动等性能优势,是高端真空电子器件的核心组成部分,决定了真空电子学设......
显示器作为人机交换信息的界面或窗口，在信息社会中起着重要的作用。目前广泛应用的热阴极射线管（CRT）因不能与集成电路制造技术相兼......
MEMS技术的发展带动了一系列电子器件微型化,在真空器件领域也出现了许多微型化的真空电子器件,比如微型陀螺仪芯片等。虽然目前的......
X射线具有波长短、频率高、能量大的特征,有很强的穿透性。由于不同物体对X射线的吸收能力不同,X射线被广泛用于材料分析、医疗检......
场发射因其独特的冷阴极发射形式,并可广泛应用于平板显示、电子显微镜电子束源、X射线源等而受到了广泛关注。提升场发射性能的关......
场致发射是依靠外电场的作用使材料表面势垒高度降低、宽度变窄,电子通过量子力学的隧道效应穿过或越过表面势垒而射入真空的现象......
阴极和收集极分别作为强流电子束起点和终点,对高功率微波源的性能具有重要影响。石墨是较好的爆炸发射阴极和强流电子束收集极材......
利用第一性原理密度泛函的方法对氢分子吸附开口碳纳米管的场发射性质进行了综合研究，建立了（5，5）开口碳纳米管吸附不同氢分子数量的吸......
利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列，采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极......
ABO3钙钛矿型材料具有优异的电学性能如压电效应、热释电效应,因此在存储器等领域都有广泛应用。随着现代科学技术和纳米技术的发......
以亚铁氰化钾为单源前驱体,以活性炭为载体,采用超声辅助均匀沉淀法,制备了普鲁士蓝/活性炭复合材料(PB/AC)。通过场发射扫描电子......
制备了具有环氧丙基侧链的对位芳纶(PPTA-ECH)和间位芳纶(PMIA-ECH),并将其用做对位芳纶(PPTA)织物/环氧树脂复合材料中PPTA织物的......
上海（长春）科润光电材料有限公司（KPT）是由中国华星、朗润公司、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所等单位共同组建的高新技术企......
氧化锌(ZnO)因其较宽的禁带宽度、电子亲和势为负、物化性能稳定等优点,被视为理想的场发射阴极材料。一维ZnO纳米材料工艺简单,便......
场发射理论自1928年建立以来,一直是国内外研究的热点之一,具有广泛的实际应用前景。近年来,国内外相关研究人员一直在寻找良好的......
碳纳米管(Carbon nanotubes,CNTs)是最有前景的场发射阴极材料之一。但CNTs薄膜阴极在劣真空、高电场等恶劣工况下,CNTs薄膜的抗损......
碳纳米管(CNT)薄膜作为一种优异的冷阴极发射材料,在真空微电子器件中有重要应用。但在强流脉冲发射模式的强电场、中等高真空环境......
ZnO微纳结构对其气敏性能和场发射性能有着重要的影响。本文采用化学气相沉积的方法,在硅衬底上合成出了ZnO/In2O3带/齿状纳米异质......
GaN的禁带宽度是3.4 eV,是一种直接宽带隙半导体材料,有稳定的化学和物理性质。另外,GaN材料的功函数为4.1 eV及电子亲和势为2.7-3......
环境和能源是当前全球面临的几个主要问题之一,先进清洁能源的相关技术,亟待研究和发展。以二氧化钛(TiO_2)为代表的金属氧化物半......
ZnO是一种宽带隙半导体材料,激子束缚能大,电子亲和势低、热导率和载流子迁移率高,物理和化学性能稳定,是优良的场发射阴极材料之......
真空技术在前沿科技与电真空器件中占有举足轻重的地位,真空电子器件至今仍缺乏可靠的测量方法用来获取其内部真空度,而对密封器件......
石墨烯是一种sp2轨道杂化组成的六方晶格的单原子层厚度的二维材料。它拥有优异的导电性、导热性、高比表面积、高化学稳定性等性......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)是一种直接带隙宽禁带半导体,具有较高的电子饱和速度及载流子迁移率、高热导率、出色的击穿强度和耐......
有机发光二极管具有响应速度快、主动式发光、广视角、低功耗、可柔性显示等优点,在显示和照明领域展现出巨大的应用潜力。为满足......
学位
GaN是宽禁带直接带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,禁带宽度3.4eV,物理和化学性质稳定,热导率高、饱和电子飘移速率大、临界击穿电场高,电......
氮化镓(GaN)材料是一种优异的宽禁带半导体材料,由于其具有优良的光电特性,所以受到科技工作者的广泛关注。众所周知,GaN材料具有......
共模电能存储于寄生阻抗中,电力电子驱动电路中零序回路所产生的高频共模信号会在设备中激发寄生阻抗,而旋转机械中的寄生电能却毫......
金刚石具有高热导率、高击穿电压、耐辐射性佳、低热膨胀系数和良好的化学稳定性,因此被人们认为是下一代半导体器件中的重要候选......
氮化镓(Ga N)是一种具有直接宽禁带的半导体材料,具有较高的电子迁移率、良好的耐高温能力、优异的抗击穿能力以及出色的抗辐射能......
碳化硅（SiC）材料以其独特的结构和优异的力学、光学、电学、场发射、光催化等性能,被广泛应用在复合材料增强、电子器件、显示器件等......
学位
电机在工作过程中,常常轴两端存在着一定的电位差,一般称之为轴电压。一旦轴电压超过特定的阈值仍不采取相应措施,就会产生电流,即......
可见光响应型半导体石墨相氮化碳(g-C_3N_4)因具有密度小、物化性质稳定、生物相容性好、禁带宽度适中、不含金属组分等特性,被广......
我们验证了一个显示视频图像的阴极阵列,它基于6in对角线、QVGA分辨率的碳纳米管,采用了简单的低成本器件结构.该纳米管是利用选择......
采用微波等离子化学气相沉积方法,以甲烷和氢气为反应气体,在镀有金属钛的陶瓷衬底上,制备了微米金刚石聚晶薄膜.利用扫描电镜、拉......
利用化学气相沉积(CVD)法,以甲烷为碳源在管式炉中合成了单体石墨纤维(MGF)。选取长度为3.426 mm,顶端球面半径为11.26μm的单体石......
采用电泳和丝网印刷法在薄膜金属电极上制备Ag与碳纳米管(CNT)的复合阴极,系统研究了纳米Ag对CNT阴极场发射性能的影响,并对此导电......
