用椭偏光谱法测量了（３５ｋｅＶ，１．０×１０＾１８ｃｍ＾－２）和（６５ｋｅＶ，１．０×１０＾１８ｃｍ＾－２）Ｃ＾＋注入Ｓｉ形成的ＳｉＣ／Ｓｉ异质结构，应用多层介质膜模型和有效介质近似，分析了这些样品的ＳｉＣ／Ｓｉ异质结构的各层厚度及主......

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜进行C^＋注入，能量为30keV，剂量为2×10^17cm^-2．对C＋注入的SiNx薄膜在......