椭偏光谱相关论文
碳化硅单晶衬底作为宽禁带半导体材料处于半导体产业链的前端,是制造器件的核心关键材料,在光电器件、功率器件和射频器件等领域具......
高压科学技术是凝聚态物理研究的重要组成部分。随着近年来金刚石对顶砧技术的不断改进,稳态高压记录的不断突破,高压研究领域获得......
氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带的半导体材料,在室温下的带隙约为3.3 eV,激子束缚能高达60meV。ZnO具有良好的光电性、透明导电性、气......
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(MBE)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底MBE生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲......
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0～5.0 eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(......
用化学溶液沉积法, 以Al2O3为衬底在750℃温度下制备了锰钴镍铜Mn1.56Co(0.96-x)Ni0.48CuxO4系列薄膜.制备温度低于传统烧结工艺需......
21世纪以来,以金属氧化物为基础的微电子、光电子以及太阳能电池等电子器件已经渗透到了人们日常生活中的每一个细节当中。同时,相......
本文采用磁控溅射方法制备了TbFeCo/Si和Ag/TbFeCo/Si系列薄膜并对溅射工艺进行了详细研究,分析了TbFeCo薄膜的生长机理,还对其光......
该论文制备出了一系列的SrBaNbO(SBN)铁电电光薄膜材料;并用椭偏光谱、透射光谱法等光学检测方法对其进行了分析研究,得到了一些有......
掺杂稀土锰氧化物RAMnO(R：三价稀土元素，A：二价碱土元素)具有天然钙钛矿结构，是典型的电子强关联体系，由于其具有庞磁电阻效应和外场敏......
本文利用射频磁控溅射(RF sputtering)技术,通过调制氧氩比(OFR= [O2]/[Ar]).衬底温度(T)和溅射功率(P)在玻璃衬底上制备了一系列......
用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用激光脉冲沉积技术生长、制备出了一系列不同真空度、不同衬底温度和不同激光脉冲能量的MgO薄膜。对生长、制备出的一系列MgO薄膜......
利用消光式椭圆偏振光谱法,在室温下可见光区对光电子材料镓铟磷的光学参数进行了测量,得到该材料的折射率和吸收系数随光子能量的......
偶氮金属镍 (Ni(azo) 2 )是一类具有很大潜力的可录光盘存储介质。为了准确地获取一种偶氮金属镍薄膜的光学常数 ,用旋涂法 (Spin-......
采用高度稀释的前驱体溶液在LaNiO3 (LNO)薄膜上沉积了Ba0 .9Sr0 .1TiO3 (BST)薄膜 .X 射线衍射分析表明BST薄膜呈高度的 (10 0 )......
用溶胶-凝胶技术在Si(100)衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-x)TiO3薄膜,其膜层组分分别为:Ba0.7Sr0.3TiO3, Ba0.8Sr0.2TiO3......
光学材料的亚表面损伤层( SSD )是激光光学领域内的研究热点之一。亚表面损伤层的存在将导致其表面薄膜特性发生变化，尤其是在高精......
椭偏技术是一种分析表面的光学方法,通过测量被测对象(样品)反射出的光线的偏振状态的变化情况来研究被测物质的性质。结合XRD和原......
用激光脉冲沉积技术生长、制备出了一系列不同真空度、不同衬底温度和不同激光脉冲能量的MgO薄膜.对生长、制备出的一系列MgO薄膜......
对椭圆偏振光谱中的主角测量条件进行了分析。当入射角等于主角θp时，椭偏参数的相位为90°，据此给出了当材料的介电函数已知时对θp......
采用真空蒸镀的方法在玻璃、石英和硅衬底上制备了Ｃ６０／７０薄膜样品，膜厚范围在１５０～７００ｎｍ．用自制的高精度、自动化光度法椭偏光谱仪在２３０～６００ｎｍ波谱范围内测量了......
用溶胶凝胶法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了（Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ３铁电薄膜样品，测量了其在２．３～５．０ｅＶ能量范围的椭偏光谱，并获得样品的膜厚和在该区间的光学常数谱．实验发现Ｐｂ离子被Ｃａ离......
用溶胶 -凝胶技术制备了化学组分为 5 /5 0 /5 0的 PL ZT非晶薄膜 .测试其在 2 0 0～ 80 0 nm波长范围的光学透射谱 ,和 2 0 0～ 6 70 ......
将模拟退火 (SA)法应用于椭偏光谱数值反演 ,以达到同时得到介质薄膜的厚度和光学常数谱 ,并对 SA算法作了说明和改进 .作为应用实......
用椭偏光谱仪首次在光子能量为２．１～５．２ｅＶ的范围内，测量了不同热处理温度下Ｂａ０．９Ｓｒ０．１ＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜的椭偏光谱，建立适当的拟合模型，并用Ｃａｕｃｈｙ色散模型描述ＢＳＴ薄膜的光学性质......
以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺,在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.XRD和AFM表明该S......
用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了厚度分别为89 nm和137 nm的PbZrO3(PZ)薄膜.X-射线衍射结果表明晶化好的PZ薄膜是钙钛矿......
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术，制备了ZnSe／SiO2复合薄膜。X-射线衍射（XRD）分析表明，ZnSe／SiO2复合薄膜中ZnSe晶体为闪锌矿（立方ZnS）。......
利用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪研究十六氟铜酞菁（F16CuPc）和铜酞菁（CuPc）薄膜的光学性质.在248-1 650 nm使用逐点拟合的方法对......
用溶胶-凝胶法成功地制备出了退火温度分别为500、600、700、800、900℃的铌酸锶钡(SBN)薄膜;对制备出SBN薄膜分别进行了椭偏光谱......
采用Sol—Gel工艺，在Si（100）衬底上制备了Ba1-xSrxTiO3（0．1≤x≤0．3）多晶薄膜，并用椭偏光谱仪在光子能量为2．0—5．2eV的范围内，测量了不同Sr含......
用直流溅射法在室温Si基片上制备了 4 .9nm～ 189.0nm范围内不同厚度的Ag薄膜 ,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和......
用化学溶液沉积法,以Al2O3为衬底在750℃温度下制备了锰钴镍铜Mn1.56Co（0.96-x）Ni0.48CuxO4系列薄膜.制备温度低于传统烧结工艺需要......
用直流磁控溅射法制备出Ag/TbFeCo/Si（100）磁光薄膜。利用可变入射角椭圆偏振光谱仪测量了其可见光区的光学常数,给出薄膜介电函数实......
用真空蒸镀法在室温Si基片上制备了Ag薄膜,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析.结构分析......
推导出一组具有特殊择优取向的各向异性薄膜的椭偏公式,并以光轴沿着薄膜表面及光轴垂直薄膜表面的各向异性薄膜为例,分别在透明和......
在研究生的椭偏光谱实验课中，本文站在学生的角度精心设计教学内容，采用理论结合实际的讲授方式，从仪器的注意事项、操作步骤、数据处......
对采用磁控溅射制备TbFeCo/Si、Ag/TbFeCo/Si系列薄膜的溅射工艺进行了研究,分析了TbFeCo薄膜的生长机理,并对其光学性质、磁性质......
用射频磁控溅射技术在室温Si基片上制备了厚度分别为25.0nm和60.7nm的MgF2薄膜样品,并用反射式椭偏光谱技术对薄膜的光学常数进行......
在21世纪，纳米科学和技术的出现和发展将引起一场新的产业革命，将对21世纪信息科学和生命科学的发展提供一个新的技术基础。为抢占这......
研究了溶剂沸点对溶液法制备Rubrene薄膜特性的影响。使用苯甲醚、氯苯、甲苯和氯仿等溶剂旋涂制备了Rubrene薄膜,并使用椭偏仪对......
采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型（100）InAs衬底上生长了InAs0．96Sb0．04薄膜．在1．5～5．5eV光子能量范围采用紫外-可见光椭圆偏振光......
采用脉冲激光沉积法（PLD）在不同Si（100）衬底温度下制备了La0.5Sr0.5CoO3（LSCO）导电金属氧化物薄膜.X射线衍射（XRD）分析表明,随着衬底温度升......
采用射频磁控溅射技术在Si(111)基片上制备金属锰膜,用椭圆偏振光谱在2.0~4.0 e V光子能量范围内研究了溅射压强对锰膜光学性质的......
采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪,测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数,测量能量范围为1.5～4.5eV.分析了不......
