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本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为......
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a-Si:H/c-Si异质结太阳电池结合了薄膜硅的工艺优势与晶体硅电池的优点,具有实现高效低成本硅太阳电池的发展前景。影响a-Si:H/c-S......
ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的光学、光电和电子输运等性质,在发光器件、激光器、压电传感器、气敏传感器、光电导......
